川島 毅士 | 名城大学大学院 理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー

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概要

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関連著者

• 川島 毅士

  名城大学大学院 理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー

• 飯田 一喜

  名城大・理工・21世紀coe「ナノファクトリー」:名城大学理工学部材料機能工学科

• 天野 浩

  名城大

• 岩谷 素顕

  名城大学大学院理工学研究科

• 赤崎 勇

  名城大学理工学部電機電子工学科

• 上山 智

  名城大学大学院理工学研究科

• 天野 浩

  名城大学大学院理工学研究科

• 岩谷 素顕

  名城大学理工学研究科

• 赤崎 勇

  名城大学大学院理工学研究科

• 赤崎 勇

  名城大学理工学研究科

• 飯田 一喜

  名城大学大学院・理工学研究科,名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー

• 本塩 彰

  名城大学理工学研究科 21世紀coe"ナノファクトリー

• 上山 智

  名城大学理工学研究科

• 春日井 秀紀

  名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー

• 三宅 泰人

  名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー

• 井村 将隆

  名城大学大学院 理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー

• 三宅 泰人

  名城大学大学院理工学研究科、21世紀coe"ナノファクトリー

• 春日井 秀紀

  名城大学大学院理工学研究科、21世紀coe"ナノファクトリー

• 春日井 秀紀

  名城大 大学院理工学研究科

• 三宅 泰人

  名城大 大学院理工学研究科

• 春日井 秀紀

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 津田 道信

  名城大学大学院理工学研究科、21世紀COE"ナノファクトリー"

• 井村 将隆

  名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー

• 津田 道信

  名城大学大学院・理工学研究科:名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー:京セラ株式会社

• 本塩 彰

  名城大学大学院理工学研究科、21世紀coe"ナノファクトリー

• 宮崎 敦嗣

  名城大学大学院・理工学研究科

• 天野 浩

  名城大学理工学研究科

• 本塩 彰

  名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー

• 飯田 一喜

  名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー

• 川島 毅士

  名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー

• 仲野 靖孝

  名城大学大学院 理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー

• 本塩 彰

  名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー

• 三島 俊介

  名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー

• 木下 博之

  (株)シクスオン

• 塩見 弘

  (株)シクスオン

• 塩見 弘

  シクスオン

• 北野 司

  名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー

• 仲野 靖孝

  名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー

• 春日井 秀紀

  名城大学大学院・理工学研究科,名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー

• 三宅 泰人

  名城大学大学院・理工学研究科,名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー

• 三島 俊介

  名城大学大学院・理工学研究科 名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー

• 浅井 利浩

  名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー

• 若山 雅文

  システム技研株式会社

• 木下 博之

  シクスオン

• 北野 司

  名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー

• 井村 将隆

  名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー

• 仲野 清孝

  名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー

• 木下 博之

  (株)シタスオン

• 塩見 弘

  (株)シタスオン

• 藤元 直樹

  名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー

• バラクリッシュナン クリッシュナン

  名城大・理工・21世紀coe「ナノファクトリー」:名城大学理工学部材料機能工学科

• 古川 寛子

  名城大学大学院理工学研究科、21世紀COE"ナノファクトリー"

• 岡留 由真

  名城大学大学院理工学研究科、21世紀COE"ナノファクトリー"

• 土屋 陽祐

  名城大学大学院理工学研究科、21世紀COE"ナノファクトリー"

• 三島 俊介

  名城大学大学院・理工学研究科,名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー

• 成田 剛

  名城大学大学院・理工学研究科

• 広瀬 貴利

  名城大学大学院・理工学研究科

• バラクリシュナン クリシュナン

  名城大学大学院・理工学研究科

• 土屋 陽祐

  名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー

• 佐野 智昭

  名城大学理工学研究科ハイテクリサーチセンター

• 高浪 俊

  名城大学大学院・理工学研究科

• 佐野 智昭

  名城大学大学院・理工学研究科

• 成田 剛

  名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー

• 永井 哲也

  名城大学大学院 理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー

• 古川 寛子

  名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー

• 岡留 由真

  名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー

• 赤崎 勇

  名城大学理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻

• 赤★ 勇

  名城大学大学院・理工学研究科

• 広瀬 貴利

  名城大学大学院・理工学研究科:名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー

• 広瀬 貴利

  名城大 大学院理工学研究科

• 天野 浩

  名城大学・理工学部理工学研究科21世紀coeプログラム"ナノファクトリー

• 赤崎 勇

  名城大・理工

• 上山 智

  名城大学・ハイテクリサーチセンター

• 赤崎 勇

  名城大学・ハイテクリサーチセンター

• 上山 智

  名城大学HRC

• 天野 浩

  名城大学HRC

• 赤崎 勇

  名城大学HRC

• 赤★ 勇

  名城大学大学院・理工学研究科:名城大学・ハイテクリサーチセンター

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著作論文

• 顕微ラマン分光法によるNITRIDE-LEDの微細領域での温度分布解析(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• Moth eye発光ダイオード(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 様々な面の4H-SiC上へのGaN結晶成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• サファイアR面基板上低転位GaNの特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• サファイアR面上に作製した紫色LED(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• サファイアR面オフ基板上に作製したIII族窒化物半導体 : 基板オフ角依存性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• Moth eye発光ダイオード(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• Moth eye発光ダイオード(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 様々な面の4H-SiC上へのGaN結晶成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 様々な面の4H-SiC上へのGaN結晶成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 低転位AlGaN上の紫外発光素子(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• サファイア溝基板上AlNのELO(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• サファイア溝基板上AlNのELO(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 顕微ラマン分光法によるNITRIDE-LEDの微細領域での温度分布解析(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• サファイア溝基板上AlNのELO(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 顕微ラマン分光法によるNITRIDE-LEDの微細領域での温度分布解析(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• サファイアR面上に作製した紫色LED(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• サファイアR面上に作製した紫色LED(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• サファイアR面オフ基板上に作製したIII族窒化物半導体 : 基板オフ角依存性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• サファイアR面基板上低転位GaNの特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• サファイアR面基板上低転位GaNの特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• サファイアR面オフ基板上に作製したIII族窒化物半導体 : 基板オフ角依存性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 低転位AlGaN上の紫外発光素子(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 低転位AlGaN上の紫外発光素子(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 低転位AlGaN上の紫外発光素子
• 低転位AlGaNを用いた高効率紫外発光ダイオード及び紫外レーザダイオード(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• 高品質AlGaNのMOVPE成長(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• 低転位AlGaNを用いた高効率紫外発光ダイオード及び紫外レーザダイオード(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 高品質AlGaNのMOVPE成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• m面SiC基板上に成長したIII族窒化物半導体薄膜の微細構造観察(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• m面SiC基板上に成長したIII族窒化物半導体薄膜の微細構造観察(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• m面SiC基板上に成長したIII族窒化物半導体薄膜の微細構造観察(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• 低転位AlGaNを用いた高効率紫外発光ダイオード及び紫外レーザダイオード(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 高品質AlGaNのMOVPE成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

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