仲野 靖孝 | 名城大学大学院 理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー
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概要
関連著者
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岩谷 素顕
名城大学理工学研究科
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天野 浩
名城大
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井村 将隆
名城大学大学院 理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー
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仲野 靖孝
名城大学大学院 理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー
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赤崎 勇
名城大学理工学研究科
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赤崎 勇
名城大学理工学部電機電子工学科
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上山 智
名城大学理工学研究科
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川島 毅士
名城大学大学院 理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー
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天野 浩
名城大学理工学研究科
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北野 司
名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー
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井村 将隆
名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー
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北野 司
名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー
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津田 道信
名城大学大学院・理工学研究科:名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー:京セラ株式会社
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岩谷 素顕
名城大学大学院理工学研究科
-
上山 智
名城大学大学院理工学研究科
-
天野 浩
名城大学大学院理工学研究科
-
赤崎 勇
名城大学大学院理工学研究科
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本塩 彰
名城大学理工学研究科 21世紀coe"ナノファクトリー
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井村 将隆
名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー
-
仲野 靖孝
名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー
-
藤元 直樹
名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー
-
バラクリッシュナン クリッシュナン
名城大・理工・21世紀coe「ナノファクトリー」:名城大学理工学部材料機能工学科
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仲野 靖孝
名城大学理工学研究科
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成田 剛
名城大学理工学研究科
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藤元 直樹
名城大学理工学研究科
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バラクリッシュナン クリッシュナン
名城大学理工学研究科
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津田 道信
名城大学理工学研究科
-
成田 剛
名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー
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本塩 彰
名城大学大学院理工学研究科、21世紀coe"ナノファクトリー
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春日井 秀紀
名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー
-
本塩 彰
名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー
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三宅 泰人
名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー
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飯田 一喜
名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー
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川島 毅士
名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー
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木下 博之
(株)シクスオン
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塩見 弘
(株)シクスオン
-
塩見 弘
シクスオン
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仲野 清孝
名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー
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木下 博之
(株)シタスオン
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塩見 弘
(株)シタスオン
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古川 寛子
名城大学大学院理工学研究科、21世紀COE"ナノファクトリー"
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岡留 由真
名城大学大学院理工学研究科、21世紀COE"ナノファクトリー"
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土屋 陽祐
名城大学大学院理工学研究科、21世紀COE"ナノファクトリー"
-
津田 道信
名城大学大学院理工学研究科、21世紀COE"ナノファクトリー"
-
飯田 一喜
名城大・理工・21世紀coe「ナノファクトリー」:名城大学理工学部材料機能工学科
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三宅 泰人
名城大学大学院理工学研究科、21世紀coe"ナノファクトリー
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春日井 秀紀
名城大学大学院理工学研究科、21世紀coe"ナノファクトリー
-
土屋 陽祐
名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー
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春日井 秀紀
名城大 大学院理工学研究科
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三宅 泰人
名城大 大学院理工学研究科
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永井 哲也
名城大学大学院 理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー
-
古川 寛子
名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー
-
岡留 由真
名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー
-
春日井 秀紀
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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本塩 彰
名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー
著作論文
- 様々な面の4H-SiC上へのGaN結晶成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- サファイアR面基板上低転位GaNの特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 様々な面の4H-SiC上へのGaN結晶成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 様々な面の4H-SiC上へのGaN結晶成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- サファイアR面基板上低転位GaNの特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- サファイアR面基板上低転位GaNの特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 高温MOVPE法により作製したELO-AlNの微細構造観察(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 高温MOVPE法により作製したELO-AlNの微細構造観察(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 高温MOVPE法により作製したELO-AlNの微細構造観察
- 高温MOVPE法により作製したELO-AlNの微細構造観察(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 高温MOVPE法により作製したELO-AlNの微細構造観察
- m面SiC基板上に成長したIII族窒化物半導体薄膜の微細構造観察(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- m面SiC基板上に成長したIII族窒化物半導体薄膜の微細構造観察(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- m面SiC基板上に成長したIII族窒化物半導体薄膜の微細構造観察(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))