天野 浩 | 名城大
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概要
関連著者
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天野 浩
名城大
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岩谷 素顕
名城大学理工学研究科
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赤崎 勇
名城大学理工学研究科
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赤崎 勇
名城大学理工学部電機電子工学科
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上山 智
名城大学理工学研究科
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天野 浩
名城大学理工学研究科
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岩谷 素顕
名城大学大学院理工学研究科
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名城大学大学院理工学研究科
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天野 浩
名城大学大学院理工学研究科
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赤崎 勇
名城大学大学院理工学研究科
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川島 毅士
名城大学大学院 理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー
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赤崎 勇
名城大学理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻
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飯田 一喜
名城大・理工・21世紀coe「ナノファクトリー」:名城大学理工学部材料機能工学科
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名城大学理工学研究科 21世紀coe"ナノファクトリー
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天野 浩
名城大学理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻
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名城大学大学院 理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー
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名城大学大学院・理工学研究科:名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー:京セラ株式会社
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名城大・理工・21世紀coe「ナノファクトリー」:名城大学理工学部材料機能工学科
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名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー
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名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー
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津田 道信
名城大学大学院理工学研究科、21世紀COE"ナノファクトリー"
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三宅 泰人
名城大学大学院理工学研究科、21世紀coe"ナノファクトリー
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春日井 秀紀
名城大学大学院理工学研究科、21世紀coe"ナノファクトリー
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春日井 秀紀
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三宅 泰人
名城大 大学院理工学研究科
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パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー
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名城大学大学院 理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー
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本塩 彰
名城大学大学院理工学研究科、21世紀coe"ナノファクトリー
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永松 謙太郎
名城大学理工学研究科
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竹田 健一郎
名城大学理工学研究科
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竹田 健一郎
名城大・理工
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井村 将隆
名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー
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飯田 一喜
名城大学大学院・理工学研究科,名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー
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竹田 健一郎
名城大
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本塩 彰
名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー
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赤崎 勇
名城大・理工
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藤元 直樹
名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー
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成田 剛
名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー
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本塩 彰
名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー
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飯田 一喜
名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー
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川島 毅士
名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー
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竹田 健一郎
名城大学
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北野 司
名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー
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井村 将隆
名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー
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バラクリッシュナン クリッシュナン
名城大学理工学研究科
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三島 俊介
名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー
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木下 博之
(株)シクスオン
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塩見 弘
(株)シクスオン
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塩見 弘
シクスオン
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市川 友紀
名城大・理工
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名城大・理工
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岩谷 素顕
名城大・理工
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上山 智
名城大・理工
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天野 浩
名城大・理工
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永松 謙太郎
名城大学大学院理工学研究科
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名城大学大学院理工学研究科、21世紀COE"ナノファクトリー"
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名城大学大学院理工学研究科、21世紀COE"ナノファクトリー"
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土屋 陽祐
名城大学大学院理工学研究科、21世紀COE"ナノファクトリー"
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仲野 靖孝
名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー
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春日井 秀紀
名城大学大学院・理工学研究科,名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー
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三宅 泰人
名城大学大学院・理工学研究科,名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー
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高木 俊
イビデン株式会社
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三島 俊介
名城大学大学院・理工学研究科 名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー
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野呂 匡志
イビデン株式会社セラミック事業本部機能部材事業部技術グルーブ
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成田 剛
名城大学大学院・理工学研究科
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土屋 陽祐
名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー
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下野 健二
イビデン株式会社
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野呂 匡志
イビデン株式会社
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永井 哲也
名城大学大学院 理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー
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古川 寛子
名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー
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坂東 章
昭和電工(株):名城大学理工学部材料機能工学科
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岡留 由真
名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー
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高木 俊
イビデン
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森田 明理
名古屋市立大学大学院医学研究科加齢・環境皮膚科学
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森田 明理
春秋会城山病院 皮膚科
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森田 明理
名古屋市立大学医学部皮膚科学教室
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森田 明理
名古屋市立大学大学院医学研究科
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仲野 靖孝
名城大学理工学研究科
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成田 剛
名城大学理工学研究科
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藤元 直樹
名城大学理工学研究科
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津田 道信
名城大学理工学研究科
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稲田 シュンコアルバーノ
名城大学理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻
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飯田 大輔
名城大学理工学研究科
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森田 明理
名古屋市立大学大学院医学研究科感覚器・形成医学講座・加齢・環境皮膚科学分野
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菅 博文
浜松ホトニクス
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永田 賢昌
名城大学理工学研究科
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松原 哲也
名城大学理工学研究科
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浅井 利浩
名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー
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若山 雅文
システム技研株式会社
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桑原 正和
浜松ホトニクス株式会社
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木下 博之
シクスオン
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仲野 清孝
名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー
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木下 博之
(株)シタスオン
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塩見 弘
(株)シタスオン
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菅 博文
浜松ホトニクス(株)中央研究所
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菅 博文
浜松ホトニクス(株)
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菅 博文
浜松ホトニクス株式会社中央研究所
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小木曽 裕二
名城大・理工
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吉田 治正
浜松ホトニクス(株)
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山下 陽滋
浜松ホトニクス(株)
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森 俊晶
名城大学大学院理工学研究科
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浅井 俊晶
名城大学大学院理工学研究科
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永田 賢吾
名城大学大学院理工学研究科
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市川 友紀
名城大学大学院理工学研究科
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竹田 健一郎
名城大学大学院理工学研究科
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根賀 亮平
名城大学大学院理工学研究科材料機能工学専攻
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水野 克俊
名城大学大学院理工学研究科材料機能工学専攻
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稲田 シュンコ
名城大学理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻
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三島 俊介
名城大学大学院・理工学研究科,名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー
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宮崎 敦嗣
名城大学大学院・理工学研究科
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渡邉 浩崇
名城大・理工・21世紀COE「ナノファクトリー」
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飯田 一喜
名城大・理工・21世紀COE「ナノファクトリー」
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永松 謙太郎
名城大・理工・21世紀COE「ナノファクトリー」
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住井 隆文
名城大・理工・21世紀COE「ナノファクトリー」
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永井 哲也
名城大・理工・21世紀COE「ナノファクトリー」
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坂東 章
昭和電工(株)
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広瀬 貴利
名城大学大学院・理工学研究科
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バラクリシュナン クリシュナン
名城大学大学院・理工学研究科
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吉田 治正
浜松ホトニクス株式会社
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Balakrishnan Krishnan
名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー
-
坂東 章
昭和電工株式会社
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土屋 法隆
名城大学理工21世紀COEナノファクトリー
-
古庄 智明
株式会社シクスオン
-
渡邉 浩崇
名城大・理工・21世紀coe「ナノファクトリー」:名城大学理工学部材料機能工学科
-
住井 隆文
名城大・理工・21世紀coe「ナノファクトリー」:名城大学理工学部材料機能工学科
-
菅 博文
浜松ホトニクス(株)開発本部
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山下 陽滋
浜松ホトニクス株式会社
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天野 浩
名古屋大学大学院工学研究科赤崎記念研究センター
-
吉田 治正
浜松ホトニクス
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小林 桂子
名古屋市立大学大学院医学研究科加齢・環境皮膚科学教室
-
稲田 シュンコアルバーノ
名城大学理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻、21世紀COEナノファクトリー
-
岩谷 素顕
理工学研究科ハイテク・リサーチ・センター
-
上山 智
21世紀COEナノファクトリー
-
広瀬 貴利
名城大学大学院・理工学研究科:名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー
-
広瀬 貴利
名城大 大学院理工学研究科
-
岩谷 素顕
名城大学 理工学部 材料機能工学科
-
杉山 貴之
名城大学理工学研究科
-
赤崎 勇
名城大学 理工学研究科 ハイテク・リサーチ・センター
-
天野 浩
名城大学・理工学部理工学研究科21世紀coeプログラム"ナノファクトリー
-
森田 明理
愛知県厚生農業協同組合連合会知多厚生病院 皮膚科
-
前田 晃
名古屋市立大学大学院医学研究科加齢・環境皮膚科学
-
天野 浩
名城大学
-
天野 浩
名城大学 理工学部材料機能工学科
-
上山 智
名城大学 理工学部 ハイテクリサーチセンターナノファクトリー
-
前田 晃
名古屋市大 大学院医学研究科 加齢・環境皮膚科学
-
天野 浩
名古屋大学 大学院工学研究科 電子情報システム専攻 赤崎記念研究センター
-
前田 晃
名古屋市立大学大学院医学研究科 加齢・環境皮膚科学
-
森田 明理
名古屋市立大学医学研究科皮膚科
-
天野 浩
名古屋大学
著作論文
- LEDによるJurkat細胞への紫外線照射特性
- UVA1-LED光線療法の照射装置開発(有機材料,一般)
- GaInNの加圧MOVPEにおける熱力学解析(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 顕微ラマン分光法によるNITRIDE-LEDの微細領域での温度分布解析(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 溝加工したAlN上AlGaNの転位解析(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Moth eye発光ダイオード(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 様々な面の4H-SiC上へのGaN結晶成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- UVレーザダイオードの動作電圧の低減(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- p型GaNゲートを有するノーマリーオフ型GaN系HFETの閾値電圧制御および温度特性(センサーデバイス,MEMS,一般)
- III族窒化物半導体による紫外光源の開発動向
- 第3回ナイトライド半導体国際会議(ICNS'99)報告
- 酸素雰囲気中での活性化アニールによる紫外発光素子の高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- III族窒化物半導体へのp型ドーピングと結晶欠陥(窒化物半導体結晶中の欠陥)
- 注目の無極性面・半極性面窒化物半導体発光デバイス (特集 注目の無極性面・半極性面発光デバイス)
- p型GaNゲート ノーマリーオフ型AlGaN/GaN Junction HFETのオン抵抗と耐圧(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- UVA1-LED光線療法の照射装置開発
- MOVPE法によるR面サファイア上GaNの高速成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- サファイアR面基板上低転位GaNの特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- サファイアR面上に作製した紫色LED(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- サファイアR面オフ基板上に作製したIII族窒化物半導体 : 基板オフ角依存性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- Moth eye発光ダイオード(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- Moth eye発光ダイオード(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 様々な面の4H-SiC上へのGaN結晶成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 様々な面の4H-SiC上へのGaN結晶成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 低転位AlGaN上の紫外発光素子(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 酸素雰囲気中での活性化アニールによる紫外発光素子の高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- UVレーザダイオードの動作電圧の低減(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- GaInNの加圧MOVPEにおける熱力学解析(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 酸素雰囲気中での活性化アニールによる紫外発光素子の高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- UVレーザダイオードの動作電圧の低減(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- GaInNの加圧MOVPEにおける熱力学解析(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- p型GaNゲート ノーマリーオフ型AlGaN/GaN Junction HFETのオン抵抗と耐圧(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 溝加工したAlN上AlGaNの転位解析(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- p型GaNゲート ノーマリーオフ型AlGaN/GaN Junction HFETのオン抵抗と耐圧(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 溝加工したAlN上AlGaNの転位解析(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- ノーマリーオフ型NlGaN/GaN接合型へテロ電界効果型トランジスタ
- 様々な基板上への紫外発光素子の作製と評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 蛍光SiC結晶の光学特性--超高光束白色LEDのキーテクノロジー
- 様々な基板上への紫外発光素子の作製と評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 様々な基板上への紫外発光素子の作製と評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- サファイア溝基板上AlNのELO(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- サファイア溝基板上AlNのELO(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 顕微ラマン分光法によるNITRIDE-LEDの微細領域での温度分布解析(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- サファイア溝基板上AlNのELO(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 顕微ラマン分光法によるNITRIDE-LEDの微細領域での温度分布解析(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- サファイアR面上に作製した紫色LED(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- サファイアR面上に作製した紫色LED(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- サファイアR面オフ基板上に作製したIII族窒化物半導体 : 基板オフ角依存性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- MOVPE法によるR面サファイア上GaNの高速成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- サファイアR面基板上低転位GaNの特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- MOVPE法によるR面サファイア上GaNの高速成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- サファイアR面基板上低転位GaNの特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- サファイアR面オフ基板上に作製したIII族窒化物半導体 : 基板オフ角依存性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 紫外LEDを用いた次世代光線治療器の開発および特性評価(有機材料,一般)
- 高温MOVPE法により作製したELO-AlNの微細構造観察(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 高温MOVPE法により作製したELO-AlNの微細構造観察(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- MOVPE法による厚膜AlN成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 高温MOVPE法により作製したELO-AlNの微細構造観察
- 高温MOVPE法により作製したELO-AlNの微細構造観察(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- MOVPE法による厚膜AlN成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 高温MOVPE法により作製したELO-AlNの微細構造観察
- MOVPE法による厚膜AlN成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 低転位AlGaN上の紫外発光素子(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 低転位AlGaN上の紫外発光素子(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- LEDによる Jurkat 細胞への紫外線照射特性
- 昇華法によるさまざまなSiC基板上へのAlN結晶成長(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 昇華法によるさまざまなSiC基板上へのAlN結晶成長(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 昇華法によるさまざまなSiC基板上へのAlN結晶成長(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- m面SiC基板上に成長したIII族窒化物半導体薄膜の微細構造観察(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- m面SiC基板上に成長したIII族窒化物半導体薄膜の微細構造観察(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- m面SiC基板上に成長したIII族窒化物半導体薄膜の微細構造観察(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- UV LEDによるJurkat細胞への紫外線照射特性
- a面GaNのp型伝導性制御--c面GaNとの比較
- Breakthroughs in Improving Crystal Quality of GaN and Invention of the p-n Junction Blue-Light-Emitting Diode
- a面GaNのp型伝導性制御--c面GaNとの比較
- LED技術の現状と将来展望 (特集 LEDの要素技術とディスプレイ応用展開)
- 純青色GaNレーザーの高出力化 (「レーザー表示装置に向けての光源新展開」特集号)
- AlGaN系紫外LED
- 視点--煌めく 窒化物系半導体による紫外発光デバイス
- 高効率AlGaN系紫外発光素子
- ナイトライド系発光素子の現状と今後の展望(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待講演]ナイトライド系発光素子の現状と今後の展望(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 窒化物ワイドギャップ半導体の現状と展望 : バルクGaN単結晶成長技術開発の観点から