Breakthroughs in Improving Crystal Quality of GaN and Invention of the p-n Junction Blue-Light-Emitting Diode

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概要

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• Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physicsの論文

著者

• 天野 浩

  名城大

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• 高温MOVPE法により作製したELO-AlNの微細構造観察(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
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• 低転位AlGaN上の紫外発光素子(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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• LEDによる Jurkat 細胞への紫外線照射特性
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• a面GaNのp型伝導性制御--c面GaNとの比較
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