III族窒化物半導体へのp型ドーピングと結晶欠陥(<特集>窒化物半導体結晶中の欠陥)

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概要

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• MOVPE法を用いて成長した高濃度にMgを添加した+c面GaN中でのインバージョンドメイン,及びAlN中での同様の結晶欠陥の透過電子顕微鏡観察を行った.結晶欠陥が形成されない最高のMg濃度をもとにp型AlGaNの室温での最高正孔濃度を導出した.GaN及びGaInNでは,+c面よりもa面のほうが室温での正孔濃度が高くなる.P型高InNモル分率GaInNの実現は,いまだ大きな壁が存在する.

• 日本結晶成長学会の論文

著者

• 岩谷 素顕

  名城大学理工学研究科

• 上山 智

  名城大学理工学研究科

• 天野 浩

  名城大学理工学研究科

• 赤崎 勇

  名城大学理工学研究科

• 赤崎 勇

  名城大学理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻

• 天野 浩

  名城大

• 天野 浩

  名城大学理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻

• 赤崎 勇

  名城大学理工学部電機電子工学科

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