AlGaN量子井戸構造の内部量子効率(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

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概要

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• 様々な転位密度の下地層上にAlGaN多重量子井戸(MQWs)を作製し、励起強度変化PL法による内部量子効率(IQE)の評価を行った。発光ピーク波長230nm、250nm、300nmの活性層において比較を行ったところ、全てのMQWにおいて、IQEと貫通転位密度の関係は、波長に寄らずほぼ同じ依存性を示した。

• 2011-05-12

著者

• 竹田 健一郎

  名城大学理工学研究科

• 岩谷 素顕

  名城大学理工学研究科

• 上山 智

  名城大学理工学研究科

• 竹内 哲也

  名城大理工

• 赤崎 勇

  名城大理工

• 竹内 哲也

  名城大学理工学部電気電子工学科

• 竹田 健一郎

  名城大・理工

• 竹田 健一郎

  名城大学

• 岩谷 素顕

  名城大理工

• 上山 智

  名城大理工

• 赤崎 勇

  名城大学理工学部電機電子工学科

• 竹田 健一郎

  名城大

• 山本 準一

  名城大・理工

• 伴 和仁

  名城大・理工

• 井手 公康

  名城大・理工

• 山本 準一

  名城大理工

• 伴 和仁

  名城大理工

• 竹田 健一郎

  名城大理工

• 井手 公康

  名城大理工

• 天野 浩

  名古屋大院工

• 岩谷 素顕

  名城大学・理工学部

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