埋め込みAlGaN横方向成長の組成不均一(<小特集>III族窒化物研究の最前線)
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概要
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周期溝GaN上に低温堆積中間層を介してAlGaNを再成長させ、横方向成長することにより低転位AlGaNを得られた。しかし、横方成長したAlGaNにおいてAlNモル分率の不均一が観測された。この組成不均一は不均一歪よりクラックの発生原因となるため、低減が必要である。実験の結果、組成不均一はアンモニアの供給量に大きく依存することを見いだした。また、アンモニアの供給量を下げることにより不均一を抑制できることが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-05-16
著者
-
岩谷 素顕
名城大学理工学研究科
-
上山 智
名城大学理工学研究科
-
天野 浩
名城大学理工学研究科
-
赤崎 勇
名城大学理工学研究科
-
中村 哲也
名城大学・理工学研究科
-
佐野 智昭
名城大学理工学研究科ハイテクリサーチセンター
-
寺尾 真二
名城大学理工学部電気電子工学科
-
望月 信吾
名城大学理工学研究科ハイテクリサーチセンター
-
中村 哲也
名城大学理工学研究科ハイテクリサーチセンター
-
寺尾 真二
名城大学・理工学研究科
-
望月 信吾
名城大学・理工学研究科
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