サファイアR面オフ基板上に作製したIII族窒化物半導体 : 基板オフ角依存性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)

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概要

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• 従来、サファイアR面基板上にGaNを成長させる場合、結晶性が比較的良好でかつ平坦な膜を得るために数十μm程度の厚膜成長が必要であった。本報告では、サファイア基板のオフ角を制御することによって、薄膜でも結晶性・平坦性の改善が可能であることを見出したので報告する。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2004-10-14

著者

• 岩谷 素顕

  名城大学理工学研究科

• 春日井 秀紀

  名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー

• 三宅 泰人

  名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー

• 川島 毅士

  名城大学大学院 理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー

• 天野 浩

  名城大

• 岩谷 素顕

  名城大学大学院理工学研究科

• 上山 智

  名城大学大学院理工学研究科

• 天野 浩

  名城大学大学院理工学研究科

• 赤崎 勇

  名城大学大学院理工学研究科

• 本塩 彰

  名城大学理工学研究科 21世紀coe"ナノファクトリー

• 本塩 彰

  名城大学大学院理工学研究科、21世紀coe"ナノファクトリー

• 津田 道信

  名城大学大学院理工学研究科、21世紀COE"ナノファクトリー"

• 井村 将隆

  名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー

• 飯田 一喜

  名城大学大学院・理工学研究科,名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー

• 春日井 秀紀

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• 春日井 秀紀

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• 春日井 秀紀

  名城大 大学院理工学研究科

• 三宅 泰人

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• 津田 道信

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• 赤崎 勇

  名城大学理工学部電機電子工学科

• 春日井 秀紀

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 本塩 彰

  名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー

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