MOVPE法による各種基板上へのInN膜の成長及び評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
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概要
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各MOVPE法を用いて、各種基板上にInNを成長させた。X線回折によるInNのモザイク性の評価によれば、特にねじれ成分であるツイスト分布と基板との格子不整合度に強い相関が見られた。
- 2003-05-08
著者
-
岩谷 素顕
名城大学理工学研究科
-
上山 智
名城大学理工学研究科
-
天野 浩
名城大学理工学研究科
-
新田 州吾
名城大学理工学研究科ハイテクリサーチセンター
-
赤★ 勇
名城大学理工学研究科ハイテクリサーチセンター
-
下野 健二
イビデン株式会社
-
渡辺 康弘
名城大学理工学部
-
下野 健二
名城大学理工学部 理工学研究科 21世紀COE ナノファクトリー
-
神保 正宏
名城大学理工学部 理工学研究科 21世紀COE ナノファクトリー
-
神保 正宏
名城大学理工学部
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