新田 州吾 | 名城大学理工学研究科ハイテクリサーチセンター
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概要
関連著者
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新田 州吾
名城大学理工学研究科ハイテクリサーチセンター
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天野 浩
名城大学理工学研究科
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岩谷 素顕
名城大学理工学研究科
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上山 智
名城大学理工学研究科
-
赤崎 勇
名城大学理工学研究科
-
山口 栄雄
神奈川大学工学部
-
吉村 政志
大阪大学大学院工学研究科
-
森 勇介
大阪大学大学院工学研究科
-
井村 将隆
名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー
-
佐々木 孝友
大阪大学大学院 工学研究科
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川村 史朗
阪大院工
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森下 昌紀
阪大院・工
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森下 昌紀
大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻
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井村 将隆
名城大学大学院 理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー
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吉村 政志
大阪大学大学院 工学研究科
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佐野 智昭
名城大学理工学研究科ハイテクリサーチセンター
-
岩橋 友也
大阪大学大学院工学研究科
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渡辺 康弘
名城大学理工学部
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苅谷 道彦
名城大学理工学部電気電子工学科
-
山口 栄雄
名城大学理工学部電気電子工学科
-
湯川 洋平
名城大学理工学部電気電子工学科
-
川村 史朗
大阪大学大学院工学研究科
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下野 健二
イビデン株式会社
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赤[サキ] 勇
名城大学理工学部
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下野 健二
名城大学理工学部 理工学研究科 21世紀COE ナノファクトリー
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神保 正宏
名城大学理工学部 理工学研究科 21世紀COE ナノファクトリー
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小嵜 正芳
名城大学理工学部電気電子工学科
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加藤 久喜
名城大学理工学部電気電子工学科
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小嵜 正芳
財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスr&dセンター
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神保 正宏
名城大学理工学部
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山口 栄雄
神奈川大学工
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竹内 哲也
名城大学理工学部
-
竹内 哲也
名城大学理工学部電気電子工学科
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岩村 保雄
神奈川大学工学部
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赤★ 勇
名城大学理工学研究科ハイテクリサーチセンター
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山口 栄雄
神奈川大学大学院工学研究科
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富田 仁人
名城大学 大学院理工学研究科・ハイテクリサーチセンター
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岩村 保雄
神奈川大学
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川村 史郎
大阪大学大学院工学研究科
-
山口 栄雄
神奈川大学ハイテクリサーチセンター
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赤崎 勇
名城大学 理工学研究科 ハイテク・リサーチ・センター
-
赤崎 勇
名城大・理工
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上山 智
名城大学大学院理工学研究科
-
天野 浩
名城大学大学院理工学研究科
-
赤崎 勇
名城大学大学院理工学研究科
-
天野 浩
名城大学 理工学部材料機能工学科
-
上山 智
名城大学 理工学部 ハイテクリサーチセンターナノファクトリー
-
新田 州吾
名城大学大学院理工学研究科・ハイテクリサーチセンター
-
渡辺 康弘
名城大学大学院理工学研究科・ハイテクリサーチセンター
-
富田 仁人
名城大学大学院理工学研究科・ハイテクリサーチセンター
-
新田 州吾
名城大学 大学院理工学研究科・ハイテクリサーチセンター
-
渡辺 康弘
名城大学 大学院理工学研究科・ハイテクリサーチセンター
著作論文
- MOVPE-GaN上にフラックス法で成長させたGaNの微細構造・光学的特性およびその上にMOVPEで成長させたGaNの微細構造・光学的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- MOVPE-GaN上にフラックス法で成長させたGaNの微細構造・光学的特性およびその上にMOVPEで成長させたGaNの微細構造・光学的特性(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- AlNおよびAlInN系ナイトライドの成長と物性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- AlNおよびAlInN系ナイトライドの成長と物性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
- MOVPE法による各種基板上へのInN膜の成長及び評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- MOVPE法による各種基板上へのInN膜の成長及び評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- MOVPE-GaN上にフラックス法で成長させたGaNの微細構造・光学的特性およびその上にMOVPEで成長させたGaNの微細構造・光学的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- MOVPE法による各種基板上へのInN膜の成長及び評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- MOVPE-GaN 上にフラックス法で成長させた GaN の微細構造・光学的特性および
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- 三元混晶GaInNの結晶学的及び光学的評価
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- MOVPE成長AlGaInN四元混晶の結晶性の評価
- MOVPE成長AlGaInN四元混晶の結晶性の評価
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