MOVPE成長AlGaInN四元混晶の結晶性の評価
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概要
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GaN上に組成を変化させた四元混晶AlGaInNをMOVPE成長させ、X線回折によりモザイク性の傾き成分であるチルト分布とねじれ成分であるツイスト分布を測定し結晶性の評価を行った。また、c軸及びa軸の変化も評価した。AFMにより表面平坦性の評価も行った。以上の結果、四元混晶AlGaInNの結晶性は下地のGaNやAlInN、AlGaNとほぼ同等であることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-05-11
著者
-
天野 浩
名城大学理工学研究科
-
湯川 洋平
名城大学理工学部電気電子工学科
-
新田 州吾
名城大学理工学研究科ハイテクリサーチセンター
-
赤[サキ] 勇
名城大学理工学部
-
山口 栄雄
神奈川大学工学部
-
苅谷 道彦
名城大学理工学部電気電子工学科
-
山口 栄雄
名城大学理工学部電気電子工学科
-
小嵜 正芳
名城大学理工学部電気電子工学科
-
加藤 久喜
名城大学理工学部電気電子工学科
-
小嵜 正芳
財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスr&dセンター
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