周期溝段差基板を用いたGaN系窒化物単結晶基板の作製及び評価 : エピタキシャル成長II

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概要

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• Periodically grooved substrates of c-plane sapphire. Si(111) and 6H-SiC (0001) were used for heteroepitaxy of GaN single crystal in metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) method. Our proposed technique is capable of preparing GaN single crystal with low dislocation density and improvement in PL peak intensity.

• 日本結晶成長学会の論文
• 2000-07-01

著者

• 天野 浩

  名城大学理工学研究科

• 赤崎 勇

  名城大学理工学研究科

• 赤崎 勇

  名城大学理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻

• 中村 亮

  名城大学理工学部電気電子工学科

• 矢野 雅大

  名城大学理工学部電気電子工学科

• 佐野 重和

  名城大学理工学部電気電子工学科

• 佐野 重和

  名城大学・理工学研究科

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