サファイア上GaNの成長過程と結晶学的特性およびGaN上AlGaN, GaInINの結晶学的特性 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)

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概要

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• 高温透過電子顕微鏡および走査電子顕微鏡を用いて観察したサファイア上のAlN低温堆積緩衝層の結晶化過程, およびその上にエピタキシャル温度で成長するGaNの成長過程について概説した。また, X線回折法によるサファイア上GaNの結晶学的特性, 特にチルト分布およびツイスト分布の直接的な測定方法を概説した。更にGaN上のAlGaNおよびGaInN 3元混晶の成長と結晶学的特性について, 特にX線回折測定法を用いたひずみおよび格子緩和の測定方法について概説した。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1998-01-25

著者

• 天野 浩

  名城大学理工学研究科

• 赤崎 勇

  名城大学理工学研究科

• 竹内 哲也

  名城大学理工学部

• 竹内 哲也

  名城大学理工学部電気電子工学科

• Wetzel Christian

  High Tech Research Center Meijo University:(present Address)uniroyal Optoelectronics

• 山口 栄雄

  神奈川大学工学部

• 山口 栄雄

  名城大学理工学部電気電子工学科

• Wetzel Christian

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