紫外LEDの発光特性評価(<小特集>III族窒化物研究の最前線)
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概要
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紫外領域での高効率発光デバイスが未だ実現していないのは、AlGaN層に10^8〜10^10cm^<-2>の貫通転位が存在し、発光効率が低下していることが主な原因である。選択成長によりファセットを形成しその上に低温堆積AlN中間層を介してAlGaNを成長させる、という新しく開発した技術では、基板全体の低転位化が可能となった。新しい技術を用いて試作したUV-LEDは、順方向電流100mAにおいて、2.6mWの光出力が得られた。
- 2002-05-16
著者
-
岩谷 素顕
名城大学理工学研究科
-
上山 智
名城大学理工学研究科
-
天野 浩
名城大学理工学研究科
-
赤崎 勇
名城大学理工学研究科
-
宮崎 敦嗣
名城大学大学院・理工学研究科
-
高浪 俊
名城大学大学院・理工学研究科
-
寺尾 真二
名城大学理工学部電気電子工学科
-
寺尾 真二
名城大学・理工学研究科
-
高浪 俊
名城大学理工学研究科ハイテクリサーチセンター
-
宮崎 敦嗣
名城大学理工学研究科ハイテクリサーチセンター
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