X線その場観察装置を用いたMOVPE結晶成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
本研究では有機金属化合物気相成長法を用いた窒化物半導体の結晶成長においてX線その場観察技術の導入が可能かを検討した。MOVPE装置にBeのViewportを作り、さらにX線源およびディテクター部分を工夫することによって、一般的なX線回折測定の2θ/ωスキャンと同等の測定を結晶成長中に1秒間で測定可能なことを確認した。本報告では、窒化物半導体の結晶成長中その場観察結果およびGaInN量子井戸を1120℃まで昇温した時の変化について検討したのであわせて報告する。
- 2011-05-12
著者
-
飯田 大輔
名城大学理工学研究科
-
岩谷 素顕
名城大学理工学研究科
-
竹内 哲也
名城大理工
-
赤崎 勇
名城大理工
-
竹内 哲也
名城大学理工学部電気電子工学科
-
岩谷 素顕
名城大理工
-
上山 智
名城大理工
-
赤崎 勇
名城大学理工学部電機電子工学科
-
田中 大樹
名城大・理工
-
田中 大樹
名城大理工
-
飯田 大輔
名城大理工
-
岩谷 素顕
名城大学・理工学部
関連論文
- GaInNの加圧MOVPEにおける熱力学解析(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 顕微ラマン分光法によるNITRIDE-LEDの微細領域での温度分布解析(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 溝加工したAlN上AlGaNの転位解析(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Moth eye発光ダイオード(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 様々な面の4H-SiC上へのGaN結晶成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- UVレーザダイオードの動作電圧の低減(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- p型GaNゲートを有するノーマリーオフ型GaN系HFETの閾値電圧制御および温度特性(センサーデバイス,MEMS,一般)
- The 3rd International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-3)(News of JACG)
- 酸素雰囲気中での活性化アニールによる紫外発光素子の高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- III族窒化物半導体へのp型ドーピングと結晶欠陥(窒化物半導体結晶中の欠陥)
- 注目の無極性面・半極性面窒化物半導体発光デバイス (特集 注目の無極性面・半極性面発光デバイス)
- p型GaNゲート ノーマリーオフ型AlGaN/GaN Junction HFETのオン抵抗と耐圧(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- MOVPE法によるR面サファイア上GaNの高速成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- サファイアR面基板上低転位GaNの特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- サファイアR面上に作製した紫色LED(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- サファイアR面オフ基板上に作製したIII族窒化物半導体 : 基板オフ角依存性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- Moth eye発光ダイオード(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- Moth eye発光ダイオード(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 様々な面の4H-SiC上へのGaN結晶成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 様々な面の4H-SiC上へのGaN結晶成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 酸素雰囲気中での活性化アニールによる紫外発光素子の高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- UVレーザダイオードの動作電圧の低減(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- GaInNの加圧MOVPEにおける熱力学解析(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 酸素雰囲気中での活性化アニールによる紫外発光素子の高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- UVレーザダイオードの動作電圧の低減(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- GaInNの加圧MOVPEにおける熱力学解析(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- p型GaNゲート ノーマリーオフ型AlGaN/GaN Junction HFETのオン抵抗と耐圧(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 溝加工したAlN上AlGaNの転位解析(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- p型GaNゲート ノーマリーオフ型AlGaN/GaN Junction HFETのオン抵抗と耐圧(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 溝加工したAlN上AlGaNの転位解析(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- ノーマリーオフ型NlGaN/GaN接合型へテロ電界効果型トランジスタ
- 様々な基板上への紫外発光素子の作製と評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 蛍光SiC結晶の光学特性--超高光束白色LEDのキーテクノロジー
- 様々な基板上への紫外発光素子の作製と評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 様々な基板上への紫外発光素子の作製と評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- サファイア溝基板上AlNのELO(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- サファイア溝基板上AlNのELO(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 顕微ラマン分光法によるNITRIDE-LEDの微細領域での温度分布解析(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- サファイア溝基板上AlNのELO(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 顕微ラマン分光法によるNITRIDE-LEDの微細領域での温度分布解析(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- サファイアR面上に作製した紫色LED(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- サファイアR面上に作製した紫色LED(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- MOVPE法によるR面サファイア上GaNの高速成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- サファイアR面基板上低転位GaNの特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- MOVPE法によるR面サファイア上GaNの高速成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- サファイアR面基板上低転位GaNの特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- MOVPE-GaN上にフラックス法で成長させたGaNの微細構造・光学的特性およびその上にMOVPEで成長させたGaNの微細構造・光学的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- MOVPE-GaN上にフラックス法で成長させたGaNの微細構造・光学的特性およびその上にMOVPEで成長させたGaNの微細構造・光学的特性(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- 高温MOVPE法により作製したELO-AlNの微細構造観察(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 高温MOVPE法により作製したELO-AlNの微細構造観察(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- MOVPE法による厚膜AlN成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 高温MOVPE法により作製したELO-AlNの微細構造観察
- 高温MOVPE法により作製したELO-AlNの微細構造観察(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- MOVPE法による厚膜AlN成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 高温MOVPE法により作製したELO-AlNの微細構造観察
- MOVPE法による厚膜AlN成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 昇華法によるさまざまなSiC基板上へのAlN結晶成長(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 昇華法によるさまざまなSiC基板上へのAlN結晶成長(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 昇華法によるさまざまなSiC基板上へのAlN結晶成長(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- Al_xGa_N/GaNヘテロ構造における応力緩和過程の成長中その場観察
- Al_xGa_N/GaNヘテロ構造における応力緩和過程の成長中その場観察
- Al_xGa_N/GaNヘテロ構造における応力緩和過程の成長中その場観察
- m面SiC基板上に成長したIII族窒化物半導体薄膜の微細構造観察(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- m面SiC基板上に成長したIII族窒化物半導体薄膜の微細構造観察(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- m面SiC基板上に成長したIII族窒化物半導体薄膜の微細構造観察(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- a面GaNのp型伝導性制御--c面GaNとの比較
- a面GaNのp型伝導性制御--c面GaNとの比較
- 埋め込みAlGaN横方向成長の組成不均一(III族窒化物研究の最前線)
- MOVPE法による各種基板上へのInN膜の成長及び評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- MOVPE法による各種基板上へのInN膜の成長及び評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- MOVPE-GaN上にフラックス法で成長させたGaNの微細構造・光学的特性およびその上にMOVPEで成長させたGaNの微細構造・光学的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- MOVPE法による各種基板上へのInN膜の成長及び評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- MOVPE-GaN 上にフラックス法で成長させた GaN の微細構造・光学的特性および
- MOVPE-GaN 上にフラックス法で成長させた GaN の微細構造・光学的特性および
- AlGaN系紫外発光素子における転位密度と発光効率(紫外発光材料の現状と将来)
- 高効率紫外発光素子のためのAlGaN系ヘテロエピタキシャル成長技術 : 紫外線発光の現状と将来シンポジウム
- 紫外LEDの発光特性評価(III族窒化物研究の最前線)
- X線その場観察装置を用いたMOVPE結晶成長 (シリコン材料・デバイス)
- X線その場観察装置を用いたMOVPE結晶成長 (電子部品・材料)
- X線その場観察装置を用いたMOVPE結晶成長 (電子デバイス)
- 紫外・深紫外発光素子のための結晶成長技術 (特集 ここまで進んだ紫外発光素子)
- GaInNチャンネルHFETのAlInNバリア層の検討(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 窒化物太陽電池の電極構造検討(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 非極性面を用いた窒化物太陽電池の作製(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlGaN量子井戸構造の内部量子効率(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 反射電極を用いた紫外発光素子の光取り出し効率改善(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 窒化物半導体トンネル接合の作製(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- III族窒化物半導体トンネル接合を用いた電流経路制御の検討(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlNテンプレートを用いた高品質AlN/GaN多層膜反射鏡の作製(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- X線その場観察装置を用いたMOVPE結晶成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- β-Ga_2O_3(100)基板上GaN及びAlGaNの成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- GaInNチャンネルHFETのAlInNバリア層の検討(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 窒化物太陽電池の電極構造検討(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 窒化物半導体トンネル接合の作製(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- X線その場観察装置を用いたMOVPE結晶成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 窒化物半導体トンネル接合の作製(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- X線その場観察装置を用いたMOVPE結晶成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- その場観察X線回折測定を用いた窒化物半導体の有機金属化合物気相成長(次世代素子のための窒化物結晶成長新機軸)