窒化物半導体トンネル接合の作製(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

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概要

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• 本報告では、高抵抗p型窒化物半導体に制限されない電流注入を目指して、窒化物半導体を用いたトンネル接合の検討を行った。はじめに、窒化物半導体トンネル接合逆方向における電流電圧特性を計算した。100A/cm^2以上の十分な電流密度を得るためには、トンネル接合障壁幅を3nm以下にする必要があり、このために不純物濃度を5×10^<20>cm^<-3>以上にする必要があることがわかった。続いて、MOVPE法によりトンネル接合を介して電流注入するLEDを成長した。上記高い不純物濃度実現のためにトンネル接合形成時のMg/Ga比を増やすと、表面が荒れることがわかり、膜厚を調整することで比較的良好な表面状態が得られることがわかった。このトンネル接合を用いた電流注入によるLEDからは比較的均一な発光が得られ、20mA注入時の駆動電圧は12.5Vと高い値であった。

• 2011-05-12

著者

• 飯田 大輔

  名城大学理工学研究科

• 岩谷 素顕

  名城大学理工学研究科

• 上山 智

  名城大学理工学研究科

• 赤崎 勇

  名城大学理工学研究科

• 北野 司

  名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー

• 竹内 哲也

  名城大学理工学部

• 竹内 哲也

  名城大学理工学部電気電子工学科

• 赤崎 勇

  名城大学理工学部電機電子工学科

• 加賀 充

  名城大学理工学部

• 北野 司

  エルシード株式会社

• 山下 浩司

  名城大学理工学部

• 矢木 康太

  名城大学理工学部

• 山下 浩司

  名城大学大学院理工学研究科

• 加賀 充

  名城大学大学院理工学研究科

• 矢木 康太

  名城大学大学院理工学研究科

• 天野 浩

  名古屋大学大学院工学研究科赤崎記念研究センター

• 岩谷 素顕

  名城大学・理工学部

• 天野 浩

  名古屋大学 大学院工学研究科 電子情報システム専攻 赤崎記念研究センター

• 天野 浩

  名古屋大学

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