酸素雰囲気中での活性化アニールによる紫外発光素子の高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)

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概要

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• Mgドープしたp型Al_<0.17>Ga_<0.83>Nについて,異なる雰囲気ガス中で活性化アニールを行った。酸素雰囲気中で活性化した試料の正孔濃度は,窒素中や空気中で活性化した試料の正孔濃度よりも高いことがわかった。同様に,紫外LEDについても,酸素雰囲気中の活性化アニールの効果を確認した。100mAのDC電流で,酸素雰囲気中900℃において活性化したLEDは,窒素雰囲気中800℃において活性化したLEDと比べ,約4倍光出力が高い。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2009-11-12

著者

• 永松 謙太郎

  名城大学理工学研究科

• 竹田 健一郎

  名城大学理工学研究科

• 岩谷 素顕

  名城大学理工学研究科

• 上山 智

  名城大学理工学研究科

• 赤崎 勇

  名城大学理工学研究科

• 赤崎 勇

  名城大学理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻

• 天野 浩

  名城大

• 市川 友紀

  名城大・理工

• 竹田 健一郎

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• 永田 賢吾

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• 永松 謙太郎

  名城大学大学院理工学研究科

• 岩谷 素顕

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• 上山 智

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• 天野 浩

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  名城大学大学院理工学研究科

• 市川 友紀

  名城大学大学院理工学研究科

• 竹田 健一郎

  名城大学大学院理工学研究科

• 天野 浩

  名城大学理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻

• 竹田 健一郎

  名城大学

• 赤崎 勇

  名城大学理工学部電機電子工学科

• 竹田 健一郎

  名城大

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