竹田 健一郎 | 名城大学理工学研究科
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概要
関連著者
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竹田 健一郎
名城大学理工学研究科
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竹田 健一郎
名城大・理工
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岩谷 素顕
名城大学理工学研究科
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赤崎 勇
名城大学理工学部電機電子工学科
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竹田 健一郎
名城大
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竹田 健一郎
名城大学
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上山 智
名城大学理工学研究科
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赤崎 勇
名城大学理工学研究科
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天野 浩
名城大学理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻
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天野 浩
名城大
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永田 賢吾
名城大・理工
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竹内 哲也
名城大学理工学部電気電子工学科
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岩谷 素顕
名城大学・理工学部
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岩谷 素顕
名城大・理工
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上山 智
名城大・理工
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赤崎 勇
名城大・理工
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永松 謙太郎
名城大学理工学研究科
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赤崎 勇
名城大学理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻
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天野 浩
名城大学理工学研究科
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竹内 哲也
名城大理工
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市川 友紀
名城大・理工
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天野 浩
名城大・理工
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岩谷 素顕
名城大学大学院理工学研究科
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上山 智
名城大学大学院理工学研究科
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赤崎 勇
名城大学大学院理工学研究科
-
竹田 健一郎
名城大学大学院理工学研究科
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伊藤 駿
名城大・理工
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青島 宏樹
名城大・理工
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竹原 孝祐
名城大・理工
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天野 浩
名古屋大学大学院工学研究科赤崎記念研究センター
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天野 浩
名古屋大学 大学院工学研究科 電子情報システム専攻 赤崎記念研究センター
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天野 浩
名古屋大学
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中幡 英章
住友電気工業株式会社 半導体技術研究所
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秋田 勝史
住友電気工業株式会社
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橋本 信
住友電気工業株式会社
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田辺 達也
住友電気工業
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天野 浩
名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻
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中幡 英章
住友電気工業(株)伊丹研究所
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天野 浩
名城大学 理工学部材料機能工学科
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赤★ 勇
名城大学大学院・理工学研究科:名城大学・ハイテクリサーチセンター
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竹内 哲也
名城大・理工
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上山 智
名城大学・理工学部
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菅 博文
浜松ホトニクス
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永田 賢昌
名城大学理工学研究科
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飯田 大輔
名城大学理工学研究科
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松原 哲也
名城大学理工学研究科
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桑原 正和
浜松ホトニクス株式会社
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竹内 哲也
名城大学理工学部
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菅 博文
浜松ホトニクス(株)中央研究所
-
菅 博文
浜松ホトニクス(株)
-
菅 博文
浜松ホトニクス株式会社中央研究所
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小木曽 裕二
名城大・理工
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吉田 治正
浜松ホトニクス(株)
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山下 陽滋
浜松ホトニクス(株)
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秋田 勝史
住友電気工業(株)半導体技術研究所
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永松 謙太郎
名城大学大学院理工学研究科
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天野 浩
名城大学大学院理工学研究科
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バラクリッシュナン クリッシュナン
名城大・理工・21世紀coe「ナノファクトリー」:名城大学理工学部材料機能工学科
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永田 賢吾
名城大学大学院理工学研究科
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市川 友紀
名城大学大学院理工学研究科
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渡邉 浩崇
名城大・理工・21世紀COE「ナノファクトリー」
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飯田 一喜
名城大・理工・21世紀COE「ナノファクトリー」
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永松 謙太郎
名城大・理工・21世紀COE「ナノファクトリー」
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住井 隆文
名城大・理工・21世紀COE「ナノファクトリー」
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永井 哲也
名城大・理工・21世紀COE「ナノファクトリー」
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坂東 章
昭和電工(株)
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飯田 一喜
名城大・理工・21世紀coe「ナノファクトリー」:名城大学理工学部材料機能工学科
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吉田 治正
浜松ホトニクス株式会社
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永井 哲也
名城大学大学院 理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー
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渡邉 浩崇
名城大・理工・21世紀coe「ナノファクトリー」:名城大学理工学部材料機能工学科
-
坂東 章
昭和電工(株):名城大学理工学部材料機能工学科
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住井 隆文
名城大・理工・21世紀coe「ナノファクトリー」:名城大学理工学部材料機能工学科
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菅 博文
浜松ホトニクス(株)開発本部
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山下 陽滋
浜松ホトニクス株式会社
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山本 準一
名城大・理工
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竹内 哲也
名城大学大学院理工学研究科
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伴 和仁
名城大・理工
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井手 公康
名城大・理工
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竹原 孝祐
名城大学理工学研究科
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永田 賢吾
名城大学理工学研究科
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青島 宏樹
名城大学理工学研究科
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伊藤 駿
名城大学理工学研究科
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山下 浩司
名城大学大学院理工学研究科
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加賀 充
名城大学大学院理工学研究科
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矢木 康太
名城大学大学院理工学研究科
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吉田 治正
浜松ホトニクス
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赤崎 勇
名城大理工
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中幡 英章
住友電気工業(株)itコンポーネント事業部
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中幡 英章
住友電気工業
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天野 浩
名城大学
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岩谷 素顕
名城大理工
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上山 智
名城大理工
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秋田 勝史
住友電気工業
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橋本 信
住友電気工業
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天野 浩
名大・大学院工:名大・赤崎記念研究センター
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天野 浩
名古屋大・大学院工
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竹田 健一郎
名城大理工
-
山本 準一
名城大理工
-
伴 和仁
名城大理工
-
井手 公康
名城大理工
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天野 浩
名古屋大院工
-
伊藤 駿
名城大理工
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永田 賢吾
名城大理工
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青島 宏樹
名城大理工
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竹原 孝祐
名城大理工
-
天野 浩
名大院工
著作論文
- GaInNの加圧MOVPEにおける熱力学解析(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- UVレーザダイオードの動作電圧の低減(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 酸素雰囲気中での活性化アニールによる紫外発光素子の高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 酸素雰囲気中での活性化アニールによる紫外発光素子の高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- UVレーザダイオードの動作電圧の低減(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- GaInNの加圧MOVPEにおける熱力学解析(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 酸素雰囲気中での活性化アニールによる紫外発光素子の高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- UVレーザダイオードの動作電圧の低減(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- GaInNの加圧MOVPEにおける熱力学解析(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 様々な基板上への紫外発光素子の作製と評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlN基板上のAlGaNチャネルHEMT (電子デバイス)
- 様々な基板上への紫外発光素子の作製と評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 様々な基板上への紫外発光素子の作製と評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlN基板上のAlGaNチャネルHEMT(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- AlN基板上のAlGaNチャネルHEMT(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- AlN基板上のAlGaNチャネルHEMT
- AlN基板上のAlGaNチャネルHEMT
- AlGaN量子井戸構造の内部量子効率(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 反射電極を用いた紫外発光素子の光取り出し効率改善(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlNテンプレートを用いた高品質AlN/GaN多層膜反射鏡の作製(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- β-Ga_2O_3(100)基板上GaN及びAlGaNの成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlGaN量子井戸構造の内部量子効率(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 反射電極を用いた紫外発光素子の光取り出し効率改善(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlNテンプレートを用いた高品質AlN/GaN多層膜反射鏡の作製(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- β-Ga_2O_3(100)基板上GaN及びAlGaNの成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlGaN量子井戸構造の内部量子効率(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 反射電極を用いた紫外発光素子の光取り出し効率改善(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlNテンプレートを用いた高品質AlN/GaN多層膜反射鏡の作製(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- β-Ga_2O_3(100)基板上GaN及びAlGaNの成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))