AlN基板上のAlGaNチャネルHEMT(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
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概要
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AlN基板上にAlGaNチャネルHEMTエピを成長し、サファイア基板上と比較した。AlGaNチャネル層の(10-12)面のX線ロッキングカーブ(XRC)半値幅の低減に伴い、2次元電子ガスのシート抵抗の大幅な低減が確認された。AlGaNチャネルHEMTでは、2次元電子ガスのシート抵抗低減には、AlGaNチャネル層の結晶品質の向上が重要であることを明らかにした。また、AlN基板を用いることで、AlGaNチャネル層の結晶品質の向上及び2次元電子ガスのシート抵抗の低減を確認し、AlGaNチャネルHEMTにおけるAlN基板の優位性を確認することができた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2010-01-06
著者
-
竹田 健一郎
名城大学理工学研究科
-
天野 浩
名城大学理工学研究科
-
竹田 健一郎
名城大・理工
-
秋田 勝史
住友電気工業(株)半導体技術研究所
-
中幡 英章
住友電気工業株式会社 半導体技術研究所
-
秋田 勝史
住友電気工業株式会社
-
橋本 信
住友電気工業株式会社
-
中幡 英章
住友電気工業(株)伊丹研究所
-
中幡 英章
住友電気工業(株)itコンポーネント事業部
-
中幡 英章
住友電気工業
-
田辺 達也
住友電気工業
-
天野 浩
名城大学理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻
-
天野 浩
名城大学
-
竹田 健一郎
名城大学
-
秋田 勝史
住友電気工業
-
橋本 信
住友電気工業
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