β-Ga_2O_3(100)基板上GaN及びAlGaNの成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

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概要

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• β-Ga_2O_3は260nmまでの光を透過しかつ導電性があることから、紫外の縦型伝導LED実現の可能性を秘めている基板材料である。本研究では、良質な結晶を得るにあたり、サーマルアニールがβ-Ga_2O_3(100)基板及びGaN、AlGaN成長に与える影響に注目した。サーマルアニールの温度を変えたβ-Ga_2O_3(100)基板上にMOVPE法を用いてGaNおよびAlGaNの作製を行い、その後結晶の評価を行ったので報告する。

• 2011-05-12

著者

• 竹田 健一郎

  名城大学理工学研究科

• 岩谷 素顕

  名城大学理工学研究科

• 竹内 哲也

  名城大理工

• 赤崎 勇

  名城大理工

• 竹内 哲也

  名城大学理工学部電気電子工学科

• 竹田 健一郎

  名城大・理工

• 永田 賢吾

  名城大・理工

• 竹田 健一郎

  名城大学

• 岩谷 素顕

  名城大理工

• 上山 智

  名城大理工

• 赤崎 勇

  名城大学理工学部電機電子工学科

• 竹田 健一郎

  名城大

• 伊藤 駿

  名城大・理工

• 青島 宏樹

  名城大・理工

• 竹原 孝祐

  名城大・理工

• 竹田 健一郎

  名城大理工

• 伊藤 駿

  名城大理工

• 永田 賢吾

  名城大理工

• 青島 宏樹

  名城大理工

• 竹原 孝祐

  名城大理工

• 天野 浩

  名大院工

• 岩谷 素顕

  名城大学・理工学部

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