p型GaNゲートを有するノーマリーオフ型GaN系HFETの閾値電圧制御および温度特性(センサーデバイス,MEMS,一般)
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概要
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窒化物半導体ノーマリーオフHFETは高出力・耐環境デバイスとして期待されている。p-GaNゲートを有するIII族窒化物半導体ノーマリーオフ型HFETの高温動作と閾値電圧の制御を確認した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-07-23
著者
-
飯田 大輔
名城大学理工学研究科
-
岩谷 素顕
名城大学理工学研究科
-
上山 智
名城大学理工学研究科
-
天野 浩
名城大学理工学研究科
-
赤崎 勇
名城大学理工学研究科
-
杉山 貴之
名城大学理工学研究科
-
赤崎 勇
名城大学理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻
-
天野 浩
名城大
-
天野 浩
名城大学理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻
-
赤崎 勇
名城大学理工学部電機電子工学科
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