UVレーザダイオードの動作電圧の低減(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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概要
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III族窒化物半導体AlGaNを用いた波長350nm以下の紫外(Ultraviolet:UV)レーザダイオード(Laser Diode:LD)は,大容量光記録媒体のピックアップ用,医療用,レーザ加工用の光源など幅広い応用が期待できる。AlGaNを用いたUVレーザダイオードでは拡散電位が大きいという本質的な問題に加え,電極形成プロセスにおける直流抵抗分の増加によって動作電圧が高くなる。安定した連続発振の実現にはプロセス最適化による低動作電圧化が必須である。プロセス工程を様々検討したところ,n電極金属を800℃以上の高温で短時間アニールすることで,低動作電圧化が可能であることが分かった。すなわちnコンタクト層とn電極金属がオーミック接触となり接触比抵抗が低減したため低動作電圧化し,かつリーク電流が少ないことも確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-11-12
著者
-
菅 博文
浜松ホトニクス
-
竹田 健一郎
名城大学理工学研究科
-
岩谷 素顕
名城大学理工学研究科
-
上山 智
名城大学理工学研究科
-
赤崎 勇
名城大学理工学研究科
-
桑原 正和
浜松ホトニクス株式会社
-
赤崎 勇
名城大学理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻
-
天野 浩
名城大
-
菅 博文
浜松ホトニクス(株)中央研究所
-
菅 博文
浜松ホトニクス(株)
-
菅 博文
浜松ホトニクス株式会社中央研究所
-
市川 友紀
名城大・理工
-
竹田 健一郎
名城大・理工
-
小木曽 裕二
名城大・理工
-
永田 賢吾
名城大・理工
-
岩谷 素顕
名城大・理工
-
上山 智
名城大・理工
-
天野 浩
名城大・理工
-
赤崎 勇
名城大・理工
-
吉田 治正
浜松ホトニクス(株)
-
山下 陽滋
浜松ホトニクス(株)
-
吉田 治正
浜松ホトニクス株式会社
-
天野 浩
名城大学理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻
-
竹田 健一郎
名城大学
-
赤崎 勇
名城大学理工学部電機電子工学科
-
菅 博文
浜松ホトニクス(株)開発本部
-
竹田 健一郎
名城大
-
山下 陽滋
浜松ホトニクス株式会社
-
吉田 治正
浜松ホトニクス
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