赤・近赤外パワー半導体レーザの放射線耐性
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概要
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Proton beams with energies of 10MeV and 200MeV were irradiated onto red (GaInP) and infrared (AlGaAs) high power (broad stripe) semiconductor lasers. Threshold current increases with increasing proton fluence. The change of threshold current in infrared lasers is much larger than that in red lasers. The proton energy dependence of threshold current damage factor is consistent with that of Non-Ionizing Energy Loss to some extent. Forward bias annealing effects were observed.
- 2008-05-01
著者
-
菅 博文
浜松ホトニクス
-
伊藤 慶文
若狭湾エネ
-
石神 龍哉
(財)若狭湾エネルギー研究センター
-
權田 俊一
福井工業大学宇宙通信工学科
-
菅 博文
浜松ホトニクス(株)中央研究所
-
菅 博文
浜松ホトニクス株式会社中央研究所
-
森田 剛徳
浜松ホトニクス
-
牧野 貴光
浜松ホトニクス(株)中央研究所
-
石神 龍哉
若狭湾エネルギー研究センター
-
久米 恭
若狭湾エネルギー研究センター
-
權田 俊一
福井工業大学
-
伊藤 慶文
若狭湾エネルギー研究センター
-
森田 剛徳
浜松ホトニクス(株)中央研究所
-
菅 博文
浜松ホトニクス(株)開発本部
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