AlGaN系多重量子井戸型紫外レーザダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
AlGaN系多重量子井戸型レーザダイオードの室温下でのパルス駆動によるレーザ発振を実証した.GaN/AlGaN およびAlGaN多重量子井戸型のレーザダイオードは,低転位のAlGaN結晶上に作製したもので,その発振波長は最も短いものでは336nmとなり,GaNのバンドギャップに相当する波長を遥かに下回る発振波長を達成した.高品質のAlGaN結晶上に作製したAlGaN系レーザダイオードに関する数々の結果は,今後さらに短波長の紫外レーザダイオードを実現する上で極めて重要となるであろう.
- 2009-11-12
著者
-
菅 博文
浜松ホトニクス
-
桑原 正和
浜松ホトニクス株式会社
-
菅 博文
浜松ホトニクス(株)中央研究所
-
菅 博文
浜松ホトニクス(株)
-
菅 博文
浜松ホトニクス株式会社中央研究所
-
吉田 治正
浜松ホトニクス(株)
-
山下 陽滋
浜松ホトニクス(株)
-
高木 康文
浜松ホトニクス株式会社
-
内山 和也
浜松ホトニクス株式会社
-
吉田 治正
浜松ホトニクス株式会社
-
菅 博文
浜松ホトニクス(株)開発本部
-
山下 陽滋
浜松ホトニクス株式会社
-
吉田 治正
浜松ホトニクス
関連論文
- Wクラス高出力量子カスケードレーザの開発(第7回赤外放射の応用関連学会年会)
- 21pTJ-9 高速点火核融合実験用散乱中性子計測器の開発(21pTJ 核融合プラズマ(慣性),領域2(プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理))
- レーザー
- 赤・近赤外パワー半導体レーザの放射線耐性
- 赤・近赤外パワー半導体レーザのプロトン照射効果
- 高出力レーザー用ファラデー材料 : 低温冷却TGGセラミックスの磁気光学定数及び熱伝導率の測定
- 低温冷却TGGセラミックを用いた大出力レーザー用ファラデー素子の開発
- 広帯域光源の開発に向けたBiドープシリカファイバの分光特性
- UVレーザダイオードの動作電圧の低減(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN系多重量子井戸型紫外レーザダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 27pYL-8 レーザー核融合燃料面密度計測のための高速応答リチウム6シンチレーター(核融合プラズマ(慣性)(輸送/不安定性/他),領域2,プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理)
- C-4-14 高出力量子カスケードレーザの開発(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 多重上位準位を有する量子カスケードレーザ (レーザ・量子エレクトロニクス)
- 間接注入励起を用いた量子カスケードレーザ : 注入層内キャリア数の動的抑圧効果(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-4-15 SPC緩和構造を用いた4〜10μm帯量子カスケードレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 中赤外量子カスケードレーザを用いた分光計測
- DFB量子カスケードレーザーとその分光応用
- 短波長歪系量子カスケードレーザの開発とその分光応用
- 量子カスケードレーザーの分光応用 : メタンおよび一酸化二窒素の超精密赤外分光
- シングルモードDFB量子カスケードレーザの分光分析への応用(半導体レーザ関連技術, 及び一般)
- 10 J x 10 Hz LD励起スラブ型ガラスレーザーシステムの開発
- LD励起10J×10Hz Nd : ガラススラブレーザーの開発
- LD励起10Jx10Hz Nd : ガラススラブレーザーの動作特性
- 半導体レーザー
- CLBO結晶を用いた8.5Jグリーン光の高効率発生と全固体100TW級レーザーへの展開
- AlGaAs系半導体レーザのプロトン照射損傷
- LD光源の高出力化の現状と将来動向
- レーザー核融合炉用ドライバーHALNA開発のための大面積励起用200-kW半導体レーザーモジュール
- 単一光子ターンスタイル (回転ドア) 素子
- 核融合炉用スケールダウンレーザー(10J・10Hz級)の開発研究
- 大出力LD励起固体レーザードライバーHALNAによる2.4GWパルス, 217W平均出力動作
- 111 kW級半導体レーザ発振機の開発と溶接特性(第2報) : 自動車用鋼板のレーザ溶接特性(ファイバーレーザ,平成20年度春季全国大会)
- 110 kW級半導体レーザ発振機の開発と溶接特性(第1報) : kW級半導体レーザ発振機の開発(ファイバーレーザ,平成20年度春季全国大会)
- 高出力LD励起ジグザグスラブレーザーの開発
- 28p-ND-2 固体レーザ励起用高出力807nm半導体レーザアレイ(II)
- 高効率, 熱複屈折補償型8パス構成LD励起Nd : YAGスラブ増幅器の開発
- 固体レーザー励起用高出力半導体レーザーアレイ
- 高出力半導体レーザーの開発
- レーザー励起用大出力LDアレイとその励起特性
- 固体レーザー励起用高出力半導体レーザーアレイ
- UVレーザダイオードの動作電圧の低減(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- UVレーザダイオードの動作電圧の低減(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- HWE法によるAlN/GaN量子カスケード構造の作製と構造評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- HWE法によるAlN/GaN量子カスケード構造の作製と構造評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 高出力LD励起全固体偏光結合共振器レーザーの開発
- 噴流水冷ヒートシンクによるCWLDバーの大出力動作
- 核融合炉用LD励起ガラスレーザードライバーHALNAの開発研究
- 半導体レーザー励起固体レーザーによる核融合炉用ドライバー(HALNA)の開発研究
- 大出力パルスLD励起スラブレーザーの繰返し動作特性
- 核融合炉用高平均出力レーザードライバー(HALNA)の開発研究
- 高出力LD励起ジグザグスラブレーザーにおける光学要素の開発
- AlGaN系多重量子井戸型紫外レーザダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN系多重量子井戸型紫外レーザダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高出力半導体レーザーアレイ励起Csレーザーの研究
- 多重上位準位を有する量子カスケードレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-4-33 高出力量子カスケードレーザの開発II(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- ボリュームブラッグ格子を用いた高輝度狭帯域外部共振器半導体レーザー
- CS-3-7 量子カスケードレーザの環境計測への応用(CS-3.環境と光技術,シンポジウムセッション)
- CS-3-7 量子カスケードレーザの環境計測への応用(CS-3.環境と光技術,シンポジウムセッション)
- シリカガラスを用いた高平均出力レーザーの開発
- 4)近赤外光電子増倍管とその応用(情報入力研究会)
- 近赤外光電子増倍管とその応用
- 近赤外光電子増倍管とSiフォトルミネッセンス測定への応用
- レーザ核融合炉用ドライバ(HALNA : DPSSL)の開発
- LD励起Yb:YAGディスクレーザーの開発
- 小型LD励起Yb:YAGディスクレーザー
- LD励起1064nm Nd : YAGジグザグスラブレーザー増幅器のビーム品質測定
- LD励起8パス構成1064-nmNd : YAGジグザグスラブレーザー増幅器の高平均出力化
- 固体レーザー励起用高出力LDアレイ
- 半導体レーザー励起高効率Nd: YAGレーザー増幅器
- 高出力半導体レーザとその応用
- 高品質InAsSb系混晶の液相成長と中赤外光デバイスへの応用
- 高品質InAsSb系混晶の液相成長と中赤外光デバイスへの応用
- 固体レーザー励起用高出力半導体レーザー
- 高出力・高効率レーザーダイオード
- 固体レーザー励起用高出力半導体レーザー
- 高出力Yb:YAGセラミックスラブレーザーの開発
- InAs基板上に成長させたGaInAsSbのキャリア移動度の評価法
- 高品質GaInAsSb/InAsの液相成長
- 波長2.94μmで発振するLD励起Er:YAGレーザーの開発と600mJ(世界最高)出力の達成
- 高出力半導体レーザーの研究開発
- 固体レーザー励起用高出力半導体レーザー
- 高輝度半導体レーザーアレー
- 固体レーザー励起用高出力半導体レーザーアレイ
- 硫黄不活性化処理による室温動作InAsPSb/InAs中赤外光検出器の感度向上
- 高出力半導体レーザおよびファイバーディスクレーザの開発とその応用(高出力・高品質レーザの開発とその応用,平成20年度春季全国大会)
- 超高出力半導体レーザとエネルギー光源への応用
- 1kW出力ファイバーレーザー
- 高出力ファイバーレーザーの研究開発 (III)
- 高出力ファイバーレーザーの研究開発(II)
- キロワット級ファイバレーザー技術
- 高出力ファイバーレーザーの研究開発
- 固体レ-ザ-励起用高出力半導体レ-ザ-ダイオ-ド(二次元高出力半導体レ-ザ-アレイの開発)
- 固体レーザー励起用高出力半導体レーザーアレイ : 二次元高出力半導体レーザーアレイの開発
- 固体レーザー励起用高出力半導体レーザーアレイ
- 室温動作高感度InAs/InAsPSb中赤外光検出器
- 固体レーザー励起用高機能半導体レーザーの開発
- LD励起受動Qスイッチマイクロチップレーザーの高輝度化(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- LD励起受動QスイッチNd : YAGマイクロチップレーザーの開発 : 尖頭値および安定性の改善
- LD励起受動QスイッチNd : YAGマイクロチップレーザーの開発