高木 康文 | 浜松ホトニクス株式会社

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概要

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関連著者

• 高木 康文

  浜松ホトニクス株式会社

• 岡田 浩

  豊橋技術科学大学

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学

• 関口 寛人

  豊橋技術科学大学

• 大谷 龍輝

  豊橋技術科学大学 工学部

• 岡田 浩

  豊橋技術科学大学 工学部

• 関口 寛人

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻

• 大谷 龍輝

  豊橋技術科学大学工学部

• 朴 康司

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 朴 康司

  豊橋技術科学大学第3工学系

• 関口 寛人

  上智大理工:crest-jst

• 米津 宏雄

  豊橋技術科学大学 工学研究科

• 高木 康文

  豊橋技術科学大学 工学部

• 菅 博文

  浜松ホトニクス

• 桑原 正和

  浜松ホトニクス株式会社

• 大島 直樹

  豊橋技術科学大学 知識情報工学系

• 菅 博文

  浜松ホトニクス(株)中央研究所

• 菅 博文

  浜松ホトニクス(株)

• 菅 博文

  浜松ホトニクス株式会社中央研究所

• 吉田 治正

  浜松ホトニクス(株)

• 山下 陽滋

  浜松ホトニクス(株)

• 内山 和也

  浜松ホトニクス株式会社

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 米津 宏雄

  Department Of Electrical And Electronic Information Engineering Toyohashi University Of Technology

• 大島 直樹

  豊橋技科大

• 吉田 治正

  浜松ホトニクス株式会社

• 左文字 克哉

  豊橋技術科学大学 工学部

• 菅 博文

  浜松ホトニクス(株)開発本部

• 山下 陽滋

  浜松ホトニクス株式会社

• 大島 直樹

  豊橋技術科学大学 情報・知能工学系

• 吉田 治正

  浜松ホトニクス

• 関口 寛人

  上智大理工:jst-crest

• 横関 弥樹博

  豊橋技術科学大学 工学部

• 辻 琢人

  豊橋技術科学大学 工学部

• 林田 圭司

  豊橋技術科学大学第三工学系

• 岩城 和彦

  豊橋技術科学大学工学部

• 八谷 佳明

  豊橋技術科学大学

• 八谷 佳明

  パナソニック株式会社

• 関口 寛人

  豊橋技術科学大学 工学部

• 関口 寛人

  豊橋技術科学大学工学研究科

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著作論文

• AlGaN系多重量子井戸型紫外レーザダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• AlGaN系多重量子井戸型紫外レーザダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• AlGaN系多重量子井戸型紫外レーザダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• ヘテロエピタキシャル成長の成長初期制御による結晶欠陥の抑制
• 歪短周期超格子の挿入によるInP-on-Siの貫通転位密度の低減
• (GaAs)_m(GaP)_n歪短周期超格子の格子緩和過程
• 高温熱アニールによるGaAs on Siの転位密度低減効果
• GaN:EuへのMg共ドーピングによる発光特性への影響(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• GaN:EuへのMg共ドーピングによる発光特性への影響(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• GaN:EuへのMg共ドーピングによる発光特性への影響(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• GaN:EuへのMg共ドーピングによる発光特性への影響
• GaN:EuへのMg共ドーピングによる発光特性への影響
• GaN:EuへのMg共ドーピングによる発光特性への影響
• Mg共添加GaN:Euを活性層とした赤色発光ダイオードの作製(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• Mg共添加GaN:Euを活性層とした赤色発光ダイオードの作製(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• Mg共添加GaN:Euを活性層とした赤色発光ダイオードの作製(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

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