朴 康司 | 豊橋技術科学大学電気・電子工学系

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概要

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• 豊橋技術科学大学電気・電子工学系の論文著者

関連著者

• 朴 康司

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 朴 康司

  豊橋技術科学大学第3工学系

• 米津 宏雄

  豊橋技術科学大学 工学研究科

• 米津 宏雄

  Department Of Electrical And Electronic Information Engineering Toyohashi University Of Technology

• チョウ 東鉉

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 西山 友和

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 高木 康文

  浜松ホトニクス株式会社

• 田中 周

  豊橋技術科学大学

• 高木 康文

  豊橋技術科学大学 工学部

• 大島 直樹

  豊橋技術科学大学 知識情報工学系

• 大島 直樹

  豊橋技科大

• 丸山 裕之

  豊橋技術科学大学第3工学系

• 西山 友和

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 金 恩美

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 沼田 和俊

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 鉢呂 昌弘

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 阿部 行直

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 左文字 克哉

  豊橋技術科学大学 工学部

• 榊原 健二

  豊橋技術科学大学第3工学系

• 金 恩美

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 沼田 和俊

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 大島 直樹

  豊橋技術科学大学 情報・知能工学系

• 西永 頌

  豊橋技術科学大学

• 高野 泰

  豊橋技術科学大学

• 石田 誠

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 吉田 明

  豊橋技術科学大学工学部

• 吉田 明

  豊橋技科大

• 石田 誠

  豊橋技術科学大学

• 下村 哲也

  豊橋技術科学大学

• 西永 頌

  東京大学工学系研究科

• 吉田 明

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 辻 清孝

  豊橋技術科学大学 工学部 電気・電子工学系

• 斉藤 勲

  豊橋技術科学大学

• 鈴木 裕一

  豊橋技術科学大学

• 高松 勇吉

  日本パイオニクス(株)研究所

• 笹岡 千秋

  東大・工

• 笹岡 千秋

  東京大学工学部電子工学科

• チョウ ドンヒョン

  豊橋技術科学大学

• 山田 正憲

  豊橋技術科学大学

• 末本 竜二

  豊橋技術科学大学

• 山下 英昭

  豊橋技術科学大学

• 横関 弥樹博

  豊橋技術科学大学 工学部

• 辻 琢人

  豊橋技術科学大学 工学部

• 並木 章

  豊橋技術科学大学

• 林田 圭司

  豊橋技術科学大学第三工学系

• 岩城 和彦

  豊橋技術科学大学工学部

• 八谷 佳明

  豊橋技術科学大学

• 八谷 佳明

  パナソニック株式会社

• 辻 正芳

  豊橋技術科学大学

• 金谷 康宏

  豊橋技術科学大学

• 金森 宏治

  豊橋技術科大学第3工学系

• 鳥畑 貞二

  豊橋技術科学大学

• 高野 秦

  豊橋技術科学大学

• 中村 守雄

  豊橋技術科学大学

• 中村 重彦

  豊橋技術科学大学

• 吉田 明

  豊橋技術科学大学

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著作論文

• 低加速集束イオンビーム薄膜形成装置の開発とミクロ領域結晶成長への応用
• MBE法によるInP(100)基板上のSiヘテロエピタキシー(ヘテロエピタキシー機構)
• MBE法によるInP基板上のSiヘテロエピタキシャル成長過程 : 気相成長IV
• MBE法によるGaAs基板上へのInPヘテロエピタキシャル成長 : エピタキシーII
• LPEマクロステップと不純物不均一分布 : I. 成長誘起不純物偏析現象
• ターシャリーブチルヒドラジンを窒素源としたGaNのガスソースMBE成長 : エピタキシャル成長I
• 低エネルギー集束イオンビームを用いたGaAsのマスクレス選択成長におけるドーピングと評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 低エネルギー集束イオンビームを用いたGaAsのマスクレス選択成長におけるドーピングと評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• 低エネルギー集束イオンビームを用いたGaAsのマスクレス選択成長におけるドーピングと評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 低エネルギー集束イオンビームを用いたInGaNのマスクレス選択成長 : エピタキシャル成長II
• 低エネルギーGa-FIBとDMHyを用いたGaNのマスクレス選択成長
• 低エネルギーGa-FIBとDMHyを用いたGaNのマスクレス選択成長
• 低エネルギーGa-FIBとDMHyを用いたGaNのマスクレス選択成長
• 低エネルギーInGa-FIBによるIn_xGa_Asのマスクレス選択成長
• 低エネルギーInGa-FIBによるIn_xGa_Asのマスクレス選択成長
• 低エネルギーInGa-FIBによるIn_xGa_Asのマスクレス選択成長
• ヘテロエピタキシャル成長の成長初期制御による結晶欠陥の抑制
• (5)半導体集積回路の社会人教育(第2セッション 社会人技術者のリフレッシュ教育(II))
• 歪短周期超格子の挿入によるInP-on-Siの貫通転位密度の低減
• (GaAs)_m(GaP)_n歪短周期超格子の格子緩和過程
• MBE法による化合物半導体-Si系ヘテロエピタキシ-の初期原子層成長過程と界面制御 (原子レベルでの結晶成長機構) -- (エピタキシ機構)
• 高温熱アニールによるGaAs on Siの転位密度低減効果
• 半導体液相成長モルフォロジーの実験的理論的研究(結晶のモルフォロジー)
• O_2ドープしたInP LPE層の電気的特性と表面モルホロジー
• MBE法によるGaP基盤上へのGaAs成長
• 光電子適応シナプス結合デバイスと学習機能
• TMGa-TEAs-DEAsH原料を用いたCドープGaAsのMOVPE成長 : 気相成長I

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