MBE法による化合物半導体-Si系ヘテロエピタキシ-の初期原子層成長過程と界面制御 (原子レベルでの結晶成長機構) -- (エピタキシ機構)
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概要
著者
-
朴 康司
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
-
米津 宏雄
Department Of Electrical And Electronic Information Engineering Toyohashi University Of Technology
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