03aB06 III-V-N混晶-シリコン構造を用いたモノリシック光電子融合システムの開発(光・電子集積回路(OEIC)時代をひらく結晶成長技術,ナノ・エピ分科会シンポジウム,第36回結晶成長国内会議)
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概要
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Light emitting diodes (LEDs) and Si-based metal oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs) were monolithically merged in a single chip which consisted of a Si layer and an InGaPN/GaPN double heterostructure layer lattice-matched to Si grown on a Si substrate by dislocation-free growth process.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2006-11-01
著者
-
若原 昭浩
豊橋技術科学大学
-
若原 昭浩
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
-
古川 雄三
豊橋技術科学大学 工学研究科
-
米津 宏雄
豊橋技術科学大学 工学研究科
-
米津 宏雄
Department Of Electrical And Electronic Information Engineering Toyohashi University Of Technology
-
若原 昭浩
豊橋技術科学大学電気・電子情報工学
-
古川 雄三
豊橋技術科学大学電気・電子情報工学
-
古川 雄三
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
-
米澤 宏雄
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
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