古川 雄三 | 豊橋技術科学大学 工学研究科
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概要
関連著者
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古川 雄三
豊橋技術科学大学 工学研究科
-
米津 宏雄
豊橋技術科学大学 工学研究科
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米津 宏雄
Department Of Electrical And Electronic Information Engineering Toyohashi University Of Technology
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米澤 宏雄
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
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古川 雄三
豊橋技術科学大学電気・電子情報工学
-
古川 雄三
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
-
若原 昭浩
豊橋技術科学大学電気・電子情報工学
-
若原 昭浩
豊橋技術科学大学
-
若原 昭浩
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
-
岡田 浩
豊橋技術科学大学
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西尾 公裕
豊橋技術科学大学電気・電子工学
-
西尾 公裕
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
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岡田 浩
豊橋技術科学大学 工学部
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梅野 和行
豊橋技術科学大学
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Kariyawasam Amal
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
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Amal Bandula
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
-
山田 仁
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
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澤 伸也
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
-
澤 伸也
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
-
大谷 真弘
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
-
大谷 真弘
奈良工業高等専門学校電気工学科
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高崎 哲
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
-
安部 浩史
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
-
安部 浩史
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
-
田中 誠造
豊橋技術科学大学電気・電子工学課程
-
野口 健太
豊橋技術科学大学電気・電子工学課程
-
山根 啓輔
豊橋技術科学大学電気・電子工学課程
-
出口 裕輝
豊橋技術科学大学電気・電子工学課程
-
光吉 三郎
豊橋技術科学大学
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浦上 法之
豊橋技術科学大学
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佐藤 真一郎
日本原子力研究開発機構
-
大島 武
日本原子力研究開発機構
-
近藤 正樹
豊橋技術科学大学電気・電子情報工学
-
秦 貴幸
豊橋技術科学大学電気・電子情報工学
-
佐藤 淳
豊橋技術科学大学 工学部
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島田 英里
豊橋技術科学大学 工学部
-
箕原 大介
豊橋技術科学大学 工学部
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文 秀榮
豊橋技術科学大学
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金 聖晩
豊橋技術科学大学
-
太田 成人
豊橋技術科学大学
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森崎 祐二
豊橋技術科学大学
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石地 正義
豊橋技術科学大学
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善積 祐介
豊橋技術科学大学工学研究科
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大島 武
原子力研究開発機構
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大嶋 武
原研高崎
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百瀬 賢治
豊橋技術科学大学 工学研究科
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野間 亮佑
豊橋技術科学大学
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泉 佳太
豊橋技術科学大学工学部
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内海 淳志
豊橋技術科学大学工学部
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百瀬 賢治
豊橋技術科学大学工学研究科
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近藤 正樹
豊橋技術科学大学 電気・電子情報工学
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秦 貴幸
豊橋技術科学大学 電気・電子情報工学
-
大島 武
(独)日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門
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内海 淳志
豊橋技術科学大学 工学研究科
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高橋 哲
豊橋技術科学大学電気・電子工学
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米澤 宏雄
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
-
Amal Bandula
豊橋技術科学大学電気電子工学系
-
内海 敦志
豊橋技術科学大学工学研究科
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米澤 安雄
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
著作論文
- 自己形成InGaAsN/GaPN量子ドットの成長と発光特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Si/3-V-N/Si構造を用いたLEDインジケータ付き1ビットカウンタ回路の製作 (電子部品・材料)
- Si/3-V-N/Si構造を用いたLEDインジケータ付き1ビットカウンタ回路の製作 (電子デバイス)
- 生体の視覚情報処理機能に学んだ広ダイナミックレンジを有するエッジ検出回路
- 高窒素組成GaAs_yP_N_xおよびIn_zGa_P_N_xの低温成長と原子状水素照射による結晶性の向上(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 高窒素組成GaAs_yP_N_xおよびIn_zGa_P_N_xの低温成長と原子状水素照射による結晶性の向上(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- 網膜に学んだ広ダイナミックレンジを有するエッジ検出機構の電子回路化(高機能イメージセンサ)
- 昆虫の視覚系に学んだ物体の接近検出機構のアナログ集積回路化
- Siに格子整合可能なGaPNの電気的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- Siに格子整合可能なGaPNの電気的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- Siに格子整合可能なGaPNの電気的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- Siに格子整合可能なGaPNの電気的特性
- Si/III-V-N/Si構造を用いたLEDインジケータ付き1ビットカウンタ回路の製作(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Si/III-V-N/Si構造を用いたLEDインジケータ付き1ビットカウンタ回路の製作(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Si/III-V-N光電子集積回路に向けたMOSFETおよびLEDの作製(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- Si/III-V-N光電子集積回路に向けたMOSFETおよびLEDの作製(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- Si/III-V-N光電子集積回路に向けたMOSFETおよびLEDの作製(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- 無脊椎動物の視覚システムに学んだ時空間コントラスト検出機構のアナログ電子回路化
- 下等動物の視覚系に学んだ物体の特徴検出機構の電子回路化と動き検出ネットワークとの統合
- 局所的な速度適応機能をもつ動き検出ネットワークの電子回路化
- 昆虫の視覚系に学んだ物体の接近検出機構のアナログ集積回路
- 昆虫の視覚系に学んだ物体の接近を検知する機能の集積回路化
- 動き検出神経細胞モデルのアナログ集積回路化 : 樹状突起による方向選択性の生成
- 網膜に範を得た速度検出とその電子回路化
- 高窒素組成GaAs_yP_N_xおよびIn_zGa_P_N_xの低温成長と原子状水素照射による結晶性の向上(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- Si/III-V-N光電子集積回路に向けたInGaPN/GaPN量子井戸構造(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- Si/III-V-N光電子集積回路に向けたInGaPN/GaPN量子井戸構造(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- Si/III-V-N光電子集積回路に向けたInGaPN/GaPN量子井戸構造(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- Si/III-V-N光電子集積回路に向けたInGaPN/GaPN量子井戸構造
- 下等動物の視覚系に学んだ物体の接近検出および形状認識機能の集積回路化
- 網膜における視覚情報処理機構に基づくアナログネットワークの構築と検討(アナログ・デジアナ・センサ, 通信用LSI)
- 網膜に学んだエッジ検出アナログ回路における素子特性のばらつきによる誤動作の改善(アナログ・デジアナ・センサ, 通信用LSI)
- 網膜における視覚情報処理機構に基づくアナログネットワークの構築と検討
- 網膜に学んだエッジ検出アナログ回路における素子特性のばらつきによる誤動作の改善
- Si/III-V-N/Si構造を用いたLEDインジケータ付き1ビットカウンタ回路の製作(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- p-GaPNの発光機構と変調ドープGaAsN/GaPN高歪量子井戸への応用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 自己形成InGaAsN/GaPN量子ドットの成長と発光特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- p-GaPNの発光機構と変調ドープGaAsN/GaPN高歪量子井戸への応用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- p-GaPNの発光機構と変調ドープGaAsN/GaPN高歪量子井戸への応用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 自己形成InGaAsN/GaPN量子ドットの成長と発光特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 光伝導度過渡応答特性を用いたGaPNの深い準位の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 光伝導度過渡応答特性を用いたGaPNの深い準位の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 光伝導度過渡応答特性を用いたGaPNの深い準位の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 網膜に学んだ広ダイナミックレンジを有するエッジ検出機構のアナログ集積回路化(企画セッション : ニューロハードウェア)
- 網膜に学んだ広ダイナミックレンジを有するエッジ検出機構のアナログ集積回路化
- Si/III-V-N光電子集積回路に向けたMOSFETおよびLEDの作製
- CS-5-3 Si基板上への無転位III-V-N混晶層のヘテロエピタキシャル成長(CS-5.異種材料融合デバイス技術,シンポジウム)
- 03aB06 III-V-N混晶-シリコン構造を用いたモノリシック光電子融合システムの開発(光・電子集積回路(OEIC)時代をひらく結晶成長技術,ナノ・エピ分科会シンポジウム,第36回結晶成長国内会議)
- 昆虫の視覚情報処理機構に学んだ動き検出機能のアナログ電子回路化
- Si/III-V-N/Si構造を用いたLEDインジケータ付き1ビットカウンタ回路の製作
- Si/III-V-N/Si構造を用いたLEDインジケータ付き1ビットカウンタ回路の製作
- Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討
- Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討