岡田 浩 | 豊橋技術科学大学

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概要

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関連著者

• 岡田 浩

  豊橋技術科学大学

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 岡田 浩

  豊橋技術科学大学 工学部

• 関口 寛人

  豊橋技術科学大学

• 吉田 明

  豊橋技科大

• 吉田 明

  豊橋技術科学大学工学部

• 吉田 明

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 吉田 明

  神奈川県立がんセンター乳腺甲状腺外科:甲状腺未分化癌コンソーシアム

• 吉田 明

  豊橋技術科学大学

• 関口 寛人

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻

• 関口 寛人

  上智大理工:crest-jst

• 古川 雄三

  豊橋技術科学大学 工学研究科

• 古川 雄三

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学

• 古川 雄三

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 浦上 法之

  豊橋技術科学大学

• 山根 啓輔

  豊橋技術科学大学電気・電子工学課程

• 関口 寛人

  上智大理工:jst-crest

• 大島 武

  日本原子力研究開発機構

• 高木 康文

  浜松ホトニクス株式会社

• 藤田 尚樹

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 李 海錫

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 李 海錫

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 藤田 尚樹

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 熊谷 啓助

  豊橋技術科学大学

• 石田 誠

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 石田 誠

  豊橋技術科学大学

• 大島 武

  原子力研究開発機構

• 伊藤 幹記

  豊橋技術科学大学

• 畠中 奨

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• Ishida M

  Univ. Tsukuba Tsukuba Jpn

• 大島 武

  (独)日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門

• 大谷 龍輝

  豊橋技術科学大学 工学部

• 米津 宏雄

  豊橋技術科学大学 工学研究科

• 田中 誠造

  豊橋技術科学大学電気・電子工学課程

• 野口 健太

  豊橋技術科学大学電気・電子工学課程

• 出口 裕輝

  豊橋技術科学大学電気・電子工学課程

• 梅野 和行

  豊橋技術科学大学

• 藤盛 敬雄

  豊橋技術科学大学

• 光吉 三郎

  豊橋技術科学大学

• 深見 太志

  豊橋技術科学大学

• 伊藤 宏成

  豊橋技術科学大学

• 佐藤 真一郎

  日本原子力研究開発機構

• 伊藤 久義

  原子力機構

• 伊藤 久義

  日本原子力研究所高崎研究所

• 伊藤 久義

  原研

• 伊藤 久義

  日本原子力研究所 高崎研究所 材料開発部

• 大島 武

  原研

• 近藤 正樹

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学

• 秦 貴幸

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学

• 河野 達矢

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 熊谷 啓助

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻

• 大谷 龍輝

  豊橋技術科学大学工学部

• 深見 太志

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系

• 田中 光浩

  日本ガイシ株式会社研究開発本部

• 滝川 浩史

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 大嶋 武

  原研高崎

• 井上 勉

  豊橋技術科学大学

• 伊藤 真也

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 重久 慶

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 三崎 貴生

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 津間 博基

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 小林 貴行

  豊橋技術科学大学

• 藤村 洋平

  豊橋技術科学大学

• 夏目 諭

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 今井 恒

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 柴田 智彦

  日本ガイシ

• 米津 宏雄

  Department Of Electrical And Electronic Information Engineering Toyohashi University Of Technology

• 滝川 浩史

  豊橋技術科学大学

• 内田 実

  豊橋技術科学大学電気電子工学系

• 李 昌勇

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系

• 松野 文弥

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系

• 橋元 芳昇

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系

• 藤村 洋平

  双葉電子工業

• 田中 光浩

  日本ガイシ

• 今井 恒

  豊橋技術科学大学

• 柴田 智彦

  日本ガイシ株式会社

• 野間 亮佑

  豊橋技術科学大学

• 泉 佳太

  豊橋技術科学大学工学部

• 河合 洋明

  豊橋技術科学大学工学部

• 下條 貴史

  豊橋技術科学大学工学部

• 米澤 宏雄

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• Ishida M

  Institute Of Applied Physics Crest Japan Science And Technology Corporation University Of Tsukuba

• 松本 鋭介

  豊橋技術科学大学電気電子工学系

• 伊藤 真也

  豊橋技術科学大学 機械工学系

• 海江田 理

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 内田 美

  豊橋技術科学大学電気電子工学系

• 近藤 正樹

  豊橋技術科学大学 電気・電子情報工学

• 李 昌勇

  豊橋技術科学大学 電気・電子情報工学系

• 秦 貴幸

  豊橋技術科学大学 電気・電子情報工学

• 夏目 諭

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 河合 剛

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻

• 丸山 大地

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系

• 小路 耕平

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻

• 永本 勇矢

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻

• 松岡 勝彦

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻

• 永本 勇矢

  豊橋技術科学大学 電気・電子情報工学専攻

• 松岡 勝彦

  豊橋技術科学大学 電気・電子情報工学専攻

• 鈴木 篤

  豊橋技術科学大学電気電子工学部

• 李 禹鎮

  豊橋技術科学大学電気電子工学部

• 中西 康夫

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 本川 和之

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 中西 康夫

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 本川 和之

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系

• 岡田 浩

  豊橋技術科学大学EIIRIS:豊橋技術科学大学

• 藤盛 敏雄

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 古田 明

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 岡田 浩

  豊橋技術科学大学エレクトロニクス先端融合研究所

• 岡田 浩

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻

• 関口 寛人

  豊橋技術科学大学 工学部

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻

• 浦上 法之

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系

• 関口 寛人

  豊橋技術科学大学工学研究科

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著作論文

• 自己形成InGaAsN/GaPN量子ドットの成長と発光特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Si/3-V-N/Si構造を用いたLEDインジケータ付き1ビットカウンタ回路の製作 (電子部品・材料)
• Si/3-V-N/Si構造を用いたLEDインジケータ付き1ビットカウンタ回路の製作 (電子デバイス)
• ZnGeN_2エピタキシャル薄膜の光学的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• モノメチルシランを用いたAlGaNの伝導性制御に関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• カーボンナノチューブの基板面内方向における位置制御形成の検討(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• CuInSe_2薄膜の放射線照射損傷とアニール効果の検討(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• カーボンナノチューブの基板面内方向における位置制御形成の検討(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• CuInSe_2薄膜の放射線照射損傷とアニール効果の検討(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• AlInN混晶の成長と光学特性の評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• ナノ粒子ZnOを用いた色素増感太陽電池の作製と評価
• GaNに添加したEu発光の耐放射線性と耐放射環境用発光デバイス応用の可能性
• ZnGeN_2エピタキシャル薄膜の光学的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• ZnGeN_2エピタキシャル薄膜の光学的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• インテリジェントUVセンサのためのGaN系フォトダイオードと電荷転送型Si信号処理回路の一体化(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• インテリジェントUVセンサのためのGaN系フォトダイオードと電荷転送型Si信号処理回路の一体化(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• インテリジェントUVセンサのためのGaN系フォトダイオードと電荷転送型Si信号処理回路の一体化(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Si/III-V-N/Si構造を用いたLEDインジケータ付き1ビットカウンタ回路の製作(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Si/III-V-N/Si構造を用いたLEDインジケータ付き1ビットカウンタ回路の製作(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• GaNに添加したEu発光の耐放射線性と耐放射環境用発光デバイス応用の可能性
• 単結晶CuInSe_2薄膜の電子線照射欠陥の評価(III族窒化物研究の最前線)
• 単結晶CuInSe_2薄膜の電子線照射欠陥の評価(III族窒化物研究の最前線)
• 単結晶CuInSe_2薄膜の電子線照射欠陥の評価(III族窒化物研究の最前線)
• Si-GaN OEICをめざしたGaNヘテロエピタキシーに関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• Si-GaN OEICをめざしたGaNヘテロエピタキシーに関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• Si-GaN OEICをめざしたGaNヘテロエピタキシーに関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• Si-GaN OEICをめざしたGaNヘテロエピタキシーに関する研究
• Si-GaN OEICをめざしたGaNヘテロエピタキシーに関する研究
• γ-Al_2O_3/Si(111)基板上へのGaNヘテロエピタキシャル成長に関する研究(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• γ-Al_2O_3/Si(111)基板上へのGaNヘテロエピタキシャル成長に関する研究(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• γ-Al_2O_3/Si(111)基板上へのGaNヘテロエピタキシャル成長に関する研究(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• AlInN混晶の成長と光学特性の評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• Eu添加AlGaNの光学利得の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Eu添加AlGaNの光学利得の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Eu添加AlGaNの光学利得の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• AlInN混晶の成長と光学特性の評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• Si/III-V-N/Si構造を用いたLEDインジケータ付き1ビットカウンタ回路の製作(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• p-GaPNの発光機構と変調ドープGaAsN/GaPN高歪量子井戸への応用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 自己形成InGaAsN/GaPN量子ドットの成長と発光特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• p-GaPNの発光機構と変調ドープGaAsN/GaPN高歪量子井戸への応用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• p-GaPNの発光機構と変調ドープGaAsN/GaPN高歪量子井戸への応用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 自己形成InGaAsN/GaPN量子ドットの成長と発光特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 光伝導度過渡応答特性を用いたGaPNの深い準位の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 光伝導度過渡応答特性を用いたGaPNの深い準位の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 光伝導度過渡応答特性を用いたGaPNの深い準位の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• モノメチルシランを用いたAlGaNの伝導性制御に関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• モノメチルシランを用いたAlGaNの伝導性制御に関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• カーボンナノチューブの基板面内方向における位置制御形成の検討(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• CuInSe_2薄膜の放射線照射損傷とアニール効果の検討(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• ナノ粒子ZnOを用いた色素増感太陽電池の作製と評価
• シンクロトロン放射光を用いたテフロン薄膜の作製と評価
• シンクロトロン放射光を用いたテフロン薄膜の作製と評価
• シンクロトロン放射光を用いたテフロン薄膜の作製と評価
• CuInSe_2薄膜の電子線照射効果の検討
• CuInSe_2薄膜の電子線照射効果の検討
• CuInSe_2薄膜の電子線照射効果の検討
• CI-3-5 格子整合系GaNP/Si発光デバイスを用いた光・電子集積(CI-3.シリコンフォトニクスに関わるアクティブデバイス,依頼シンポジウム,シンポジウムセッション)
• Si/III-V-N/Si構造を用いたLEDインジケータ付き1ビットカウンタ回路の製作
• Si/III-V-N/Si構造を用いたLEDインジケータ付き1ビットカウンタ回路の製作
• Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討
• Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討
• 高温環境下で動作するCOガスセンサに向けたPt/GaNショットキバリアダイオードの評価(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• BGaPの分子線エピタキシー成長(MBE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Si基板上光閉じ込め構造に向けたAlGaPN混晶の分子線エピタキシー成長(MBE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 高温環境下で動作するCOガスセンサに向けたPt/GaNショットキバリアダイオードの評価(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 高温環境下で動作するCOガスセンサに向けたPt/GaNショットキバリアダイオードの評価(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• BGaPの分子線エピタキシー成長(MBE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Si基板上光閉じ込め構造に向けたAlGaPN混晶の分子線エピタキシー成長(MBE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Si基板上光閉じ込め構造に向けたAlGaPN混晶の分子線エピタキシー成長(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• BGaPの分子線エピタキシー成長(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• GaN:EuへのMg共ドーピングによる発光特性への影響(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• GaN:EuへのMg共ドーピングによる発光特性への影響(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• GaN:EuへのMg共ドーピングによる発光特性への影響(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• GaN:EuへのMg共ドーピングによる発光特性への影響
• GaN:EuへのMg共ドーピングによる発光特性への影響
• N交互供給によるn-GaPN:Sの有機金属気相成長と電気的特性の検討(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Si基板上無転位発光素子構造の実現に向けたn型およびp型AlGaPN混晶の電気的特性の評価(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• N交互供給によるn-GaPN:Sの有機金属気相成長と電気的特性の検討(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Si基板上無転位発光素子構造の実現に向けたn型およびp型AlGaPN混晶の電気的特性の評価(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• N交互供給によるn-GaPN:Sの有機金属気相成長と電気的特性の検討(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 高温成長によるGaAsN混晶の結晶性向上(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 高温成長によるGaAsN混晶の結晶性向上(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 高温成長によるGaAsN混晶の結晶性向上(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• GaN:EuへのMg共ドーピングによる発光特性への影響
• Si基板上無転位発光素子構造の実現に向けたn型およびp型AlGaPN混晶の電気的特性の評価(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Mg共添加GaN:Euを活性層とした赤色発光ダイオードの作製(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• Mg共添加GaN:Euを活性層とした赤色発光ダイオードの作製(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• Mg共添加GaN:Euを活性層とした赤色発光ダイオードの作製(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• Si基板上無転位発光素子構造の実現に向けたn型およびp型AlGaPN混晶の電気的特性の評価
• Si基板上無転位発光素子構造の実現に向けたn型およびp型AlGaPN混晶の電気的特性の評価
• Si基板上無転位発光素子構造の実現に向けたn型およびp型AlGaPN混晶の電気的特性の評価

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