Si基板上無転位発光素子構造の実現に向けたn型およびp型AlGaPN混晶の電気的特性の評価(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

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概要

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• 格子整合III-V-N/Si構造において、AlGaPN混晶は、発光素子のクラッド層材料として期待できる。そこで、SおよびMgを不純物材料として、n型およびp型AlGaPNを作製し、Hall効果測定により電気的特性の評価を行った。n型AlGaPNでは、N組成の増加に伴う電子濃度の減少量が、GaPNよりも少ない結果が得られた。これはNの供給量が少ないことにより、不活性化の原因であるS-N結合が形成されにくくなったためであると考えられる。p型AlGaPNでは、正孔移動度の温度依存性より合金散乱が支配的となった。また、活性化エネルギーは、 GaPNと同程度であった。

• 2012-05-10

著者

• 岡田 浩

  豊橋技術科学大学

• 関口 寛人

  上智大理工:crest-jst

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学

• 関口 寛人

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻

• 熊谷 啓助

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻

• 関口 寛人

  豊橋技術科学大学

• 熊谷 啓助

  豊橋技術科学大学

• 伊藤 宏成

  豊橋技術科学大学

• 岡田 浩

  豊橋技術科学大学 工学部

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