N交互供給によるn-GaPN:Sの有機金属気相成長と電気的特性の検討(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

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概要

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• Siとの多接合型太陽電池への応用が期待されるGaPN混晶はS添加することでn型とした場合、ドナーの活性化率が低く、電子の移動度が低下する。そこで、有機金属気相成長法により、N原料であるUDMHyを交互供給することで、Nの取り込みを制御し、キャリア濃度及び電子移動度の改善を行ったHall効果測定により、連続供給n-GaPN:Sと比較してN交互供給n-GaPN:S は、同じN組成においてもキャリア濃度の増加が見られ、電子移動度はn-GaP:Sと同程度まで改善した。

• 2012-05-10

著者

• 岡田 浩

  豊橋技術科学大学

• 関口 寛人

  上智大理工:crest-jst

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学

• 関口 寛人

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻

• 岡田 浩

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻

• 関口 寛人

  豊橋技術科学大学

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻

• 永本 勇矢

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻

• 松岡 勝彦

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻

• 岡田 浩

  豊橋技術科学大学 工学部

• 永本 勇矢

  豊橋技術科学大学 電気・電子情報工学専攻

• 松岡 勝彦

  豊橋技術科学大学 電気・電子情報工学専攻

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