関口 寛人 | 豊橋技術科学大学

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概要

• 同名の論文著者
• 豊橋技術科学大学の論文著者

関連著者

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学

• 関口 寛人

  豊橋技術科学大学

• 岡田 浩

  豊橋技術科学大学

• 関口 寛人

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻

• 岡田 浩

  豊橋技術科学大学 工学部

• 関口 寛人

  上智大理工:crest-jst

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 関口 寛人

  上智大理工:jst-crest

• 高木 康文

  浜松ホトニクス株式会社

• 浦上 法之

  豊橋技術科学大学

• 熊谷 啓助

  豊橋技術科学大学

• 大谷 龍輝

  豊橋技術科学大学 工学部

• 深見 太志

  豊橋技術科学大学

• 伊藤 宏成

  豊橋技術科学大学

• 熊谷 啓助

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻

• 大谷 龍輝

  豊橋技術科学大学工学部

• 深見 太志

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系

• 山根 啓輔

  豊橋技術科学大学電気・電子工学課程

• 河合 剛

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻

• 丸山 大地

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系

• 小路 耕平

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻

• 永本 勇矢

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻

• 松岡 勝彦

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻

• 永本 勇矢

  豊橋技術科学大学 電気・電子情報工学専攻

• 松岡 勝彦

  豊橋技術科学大学 電気・電子情報工学専攻

• 岡田 浩

  エレクトロニクス先端融合研究所

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系

• 岡田 浩

  豊橋技術科学大学EIIRIS:豊橋技術科学大学

• 岡田 浩

  豊橋技術科学大学エレクトロニクス先端融合研究所

• 岡田 浩

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻

• 関口 寛人

  豊橋技術科学大学 工学部

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻

• 浦上 法之

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系

• 関口 寛人

  豊橋技術科学大学工学研究科

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著作論文

• 高温環境下で動作するCOガスセンサに向けたPt/GaNショットキバリアダイオードの評価(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• BGaPの分子線エピタキシー成長(MBE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Si基板上光閉じ込め構造に向けたAlGaPN混晶の分子線エピタキシー成長(MBE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 高温環境下で動作するCOガスセンサに向けたPt/GaNショットキバリアダイオードの評価(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 高温環境下で動作するCOガスセンサに向けたPt/GaNショットキバリアダイオードの評価(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• BGaPの分子線エピタキシー成長(MBE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Si基板上光閉じ込め構造に向けたAlGaPN混晶の分子線エピタキシー成長(MBE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Si基板上光閉じ込め構造に向けたAlGaPN混晶の分子線エピタキシー成長(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• BGaPの分子線エピタキシー成長(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• GaN:EuへのMg共ドーピングによる発光特性への影響(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• GaN:EuへのMg共ドーピングによる発光特性への影響(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• GaN:EuへのMg共ドーピングによる発光特性への影響(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• GaN:EuへのMg共ドーピングによる発光特性への影響
• GaN:EuへのMg共ドーピングによる発光特性への影響
• N交互供給によるn-GaPN:Sの有機金属気相成長と電気的特性の検討(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Si基板上無転位発光素子構造の実現に向けたn型およびp型AlGaPN混晶の電気的特性の評価(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• N交互供給によるn-GaPN:Sの有機金属気相成長と電気的特性の検討(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Si基板上無転位発光素子構造の実現に向けたn型およびp型AlGaPN混晶の電気的特性の評価(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• N交互供給によるn-GaPN:Sの有機金属気相成長と電気的特性の検討(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 高温成長によるGaAsN混晶の結晶性向上(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 高温成長によるGaAsN混晶の結晶性向上(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 高温成長によるGaAsN混晶の結晶性向上(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• GaN:EuへのMg共ドーピングによる発光特性への影響
• Si基板上無転位発光素子構造の実現に向けたn型およびp型AlGaPN混晶の電気的特性の評価(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Mg共添加GaN:Euを活性層とした赤色発光ダイオードの作製(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• Mg共添加GaN:Euを活性層とした赤色発光ダイオードの作製(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• Mg共添加GaN:Euを活性層とした赤色発光ダイオードの作製(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• 表面窒化によるGaAsN混晶の形成(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 表面窒化によるGaAsN混晶の形成(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 表面窒化によるGaAsN混晶の形成(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Si基板上無転位発光素子構造の実現に向けたn型およびp型AlGaPN混晶の電気的特性の評価
• Si基板上無転位発光素子構造の実現に向けたn型およびp型AlGaPN混晶の電気的特性の評価
• Si基板上無転位発光素子構造の実現に向けたn型およびp型AlGaPN混晶の電気的特性の評価

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