関口 寛人 | 上智大理工:jst-crest

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概要

• 同名の論文著者
• 上智大理工:jst-crestの論文著者

関連著者

• 関口 寛人

  上智大理工:crest-jst

• 関口 寛人

  上智大理工:jst-crest

• 菊池 昭彦

  上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研

• 岸野 克巳

  上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研

• 菊池 昭彦

  上智大学 大学院理工学研究科 電気電子工学専攻

• 岸野 克己

  上智大学理工学部電気電子工学科:crest 独立行政法人科学技術振興機構

• 菊池 昭彦

  上智大学理工学部

• 岸野 克巳

  上智大学理工学部

• 関口 寛人

  上智大学理工学部

• 江馬 一弘

  上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研

• 猪瀬 裕太

  上智大理工:crest-jst

• 菊池 昭彦

  上智大学理工:上智ナノテク

• 岸野 克巳

  上智大学理工:上智ナノテク

• 岡田 浩

  豊橋技術科学大学

• 関口 寛人

  上智大理工

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 関口 寛人

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻

• 関口 寛人

  豊橋技術科学大学

• 岡田 浩

  豊橋技術科学大学 工学部

• 菊池 昭彦

  上智大理工:CREST-JST:上智ナノテク

• 岸野 克巳

  上智大理工

• 江馬 一弘

  上智大理工

• 猪瀬 裕太

  上智大理工

• 酒井 優

  上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研

• 大槻 東巳

  上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研

• 大槻 東巳

  上智大理工

• 欅田 英之

  上智大理工

• 欅田 英之

  上智ナノテク研

• 田中 譲

  上智大学理工学部

• 幸山 和晃

  上智大理工

• 松井 聡

  上智大学理工学部

• 松井 聰

  上智大学理工学部

• 石井 洋平

  上智大学理工学部

• HOLMSTROM Fetter

  上智大学理工学部

• HOLMSTROM Petter

  上智大学理工学部

• 酒井 優

  上智大学理工学部

• 猪瀬 裕太

  上智大学理工学部

• 江馬 一弘

  上智大学理工学部

• 大槻 東巳

  上智大学理工学部

• 井上 昌弥

  上智大理工

• 鈴木 直樹

  上智大理工

• 加藤 圭

  上智大学理工学部

• 山根 啓輔

  豊橋技術科学大学電気・電子工学課程

• 浦上 法之

  豊橋技術科学大学

• 河合 剛

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻

• 熊谷 啓助

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻

• 丸山 大地

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系

• 深見 太志

  豊橋技術科学大学

• 小路 耕平

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻

• 大谷 龍輝

  豊橋技術科学大学工学部

• 江馬 一弘

  上智大学理工:上智ナノテク

• 熊谷 啓助

  豊橋技術科学大学

• 猪瀬 裕太

  上智大学理工

• 深見 太志

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系

• 大槻 東巳

  上智大理工:上智ナノテク

• 酒井 優

  上智大理工

• 黒江 晴彦

  上智大理工

• 関根 智幸

  上智大理工

• 関根 智幸

  上智大理工:crest-jst

• 斎木 敏治

  慶大理工

• 斎木 敏治

  神奈川科学技術アカデミー

• 高木 康文

  浜松ホトニクス株式会社

• 征矢 隆宏

  上智大理工

• 村本 浩介

  上智大理工

• 酒井 優

  山梨大院医工

• 斎木 敏治

  慶応大 理工

• SATO Tetsuya

  National Institute for fusion Science

• 斎木 敏治

  慶應義塾大学理工学部 神奈川科学技術アカデミー

• Sekine Toshiaki

  Department Of Radioisotopes Japan Atomic Energy Research Institute

• 大谷 龍輝

  豊橋技術科学大学 工学部

• 野中 聡

  旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座

• 野中 薫雄

  琉球大学医学部器官病態医科学講座皮膚科

• 林 達哉

  旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座

• 石沢 峻介

  上智大理工

• 光野 徹也

  上智大理工

• 山野 晃司

  上智大理工

• 岸野 克己

  上智大理工

• 棒田 英之

  上智大理工

• 小松 悠二

  上智大理工

• 光野 徹也

  上智大理工:crest-jst

• 石沢 峻介

  上智大理工:crest-jst

• 山野 晃司

  上智大学理工学部:jstクレスト

• 棒田 英之

  上智大理工:crest-jst

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著作論文

• 22pPSB-35 窒化物半導体ナノコラム結晶を用いた新規発光デバイスの研究(22pPSB 領域5ポスターセッション(微粒子・ナノ結晶等),領域5(光物性))
• GaNナノコラムにおけるランダムレージング(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• GaN/AlN多重量子井戸のサブバンド間遷移を用いた紫外・赤外光変換素子の基礎検討(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 27aPS-93 一次元フォトニック配列したGaNナノウォールからの第二次高調波発生(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
• 28aVD-4 GaNナノコラム集団における光のアンダーソン局在の直接観察(28aVD 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域5(光物性))
• 28aVD-4 GaNナノコラム集団における光のアンダーソン局在の直接観察(28aVD 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 23pYJ-7 GaNナノコラム結晶の発光特性(励起子・ポラリトン・高密度励起現象,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 26aPS-18 InGaN/GaNナノコラム結晶の発光特性(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 23pPSA-79 GaNナノコラム結晶の発光特性II(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
• 27aPS-74 GaNナノコラムの高圧下ラマン散乱(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
• RF-MBE法を用いたTiマスク選択成長による規則配列InGaN/GaNナノコラムの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• GaNナノコラムにおけるランダムレージング(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• GaNナノコラムにおけるランダムレージング(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• GaN/AlN多重量子井戸のサブバンド間遷移を用いた紫外・赤外光変換素子の基礎検討(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• GaN/AlN多重量子井戸のサブバンド間遷移を用いた紫外・赤外光変換素子の基礎検討(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• RF-MBE法を用いたGaN/AlGaN紫外ナノコラムLEDの成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• RF-MBE法を用いたGaN/AlGaN紫外ナノコラムLEDの成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• RF-MBE法を用いたGaN/AlGaN紫外ナノコラムLEDの成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 25aRE-3 GaNナノコラムにおけるランダムレーザーの特性評価(25aRE 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域5(光物性))
• 25aRE-3 GaNナノコラムにおけるランダムレーザーの特性評価(25aRE 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• RF-MBE法を用いたTiマスク選択成長による規則配列InGaN/GaNナノコラムの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• RF-MBE法を用いたTiマスク選択成長による規則配列InGaN/GaNナノコラムの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 23aYJ-7 GaNナノコラム結晶のプラズモンによるラマン散乱II(微粒子・ナノ結晶・低次元物質,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 高温環境下で動作するCOガスセンサに向けたPt/GaNショットキバリアダイオードの評価(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• BGaPの分子線エピタキシー成長(MBE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Si基板上光閉じ込め構造に向けたAlGaPN混晶の分子線エピタキシー成長(MBE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 高温環境下で動作するCOガスセンサに向けたPt/GaNショットキバリアダイオードの評価(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 高温環境下で動作するCOガスセンサに向けたPt/GaNショットキバリアダイオードの評価(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• BGaPの分子線エピタキシー成長(MBE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Si基板上光閉じ込め構造に向けたAlGaPN混晶の分子線エピタキシー成長(MBE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Si基板上光閉じ込め構造に向けたAlGaPN混晶の分子線エピタキシー成長(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• BGaPの分子線エピタキシー成長(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• GaN:EuへのMg共ドーピングによる発光特性への影響(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• GaN:EuへのMg共ドーピングによる発光特性への影響(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• Mg共添加GaN:Euを活性層とした赤色発光ダイオードの作製 (レーザ・量子エレクトロニクス)

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