関口 寛人 | 上智大理工:crest-jst
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
関口 寛人
上智大理工:crest-jst
-
関口 寛人
上智大理工:jst-crest
-
関口 寛人
豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻
-
岡田 浩
豊橋技術科学大学
-
若原 昭浩
豊橋技術科学大学
-
関口 寛人
豊橋技術科学大学
-
菊池 昭彦
上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研
-
岡田 浩
豊橋技術科学大学 工学部
-
岸野 克巳
上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研
-
菊池 昭彦
上智大学 大学院理工学研究科 電気電子工学専攻
-
岸野 克己
上智大学理工学部電気電子工学科:crest 独立行政法人科学技術振興機構
-
菊池 昭彦
上智大学理工学部
-
岸野 克巳
上智大学理工学部
-
関口 寛人
上智大学理工学部
-
若原 昭浩
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
-
江馬 一弘
上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研
-
猪瀬 裕太
上智大理工:crest-jst
-
菊池 昭彦
上智大学理工:上智ナノテク
-
岸野 克巳
上智大学理工:上智ナノテク
-
関口 寛人
上智大理工
-
菊池 昭彦
上智大理工:CREST-JST:上智ナノテク
-
岸野 克巳
上智大理工
-
江馬 一弘
上智大理工
-
猪瀬 裕太
上智大理工
-
酒井 優
上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研
-
大槻 東巳
上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研
-
深見 太志
豊橋技術科学大学
-
浦上 法之
豊橋技術科学大学
-
熊谷 啓助
豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻
-
熊谷 啓助
豊橋技術科学大学
-
深見 太志
豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系
-
大槻 東巳
上智大理工
-
欅田 英之
上智大理工
-
高木 康文
浜松ホトニクス株式会社
-
欅田 英之
上智ナノテク研
-
大谷 龍輝
豊橋技術科学大学工学部
-
大谷 龍輝
豊橋技術科学大学 工学部
-
田中 譲
上智大学理工学部
-
幸山 和晃
上智大理工
-
松井 聡
上智大学理工学部
-
松井 聰
上智大学理工学部
-
石井 洋平
上智大学理工学部
-
HOLMSTROM Fetter
上智大学理工学部
-
HOLMSTROM Petter
上智大学理工学部
-
酒井 優
上智大学理工学部
-
猪瀬 裕太
上智大学理工学部
-
江馬 一弘
上智大学理工学部
-
大槻 東巳
上智大学理工学部
-
井上 昌弥
上智大理工
-
鈴木 直樹
上智大理工
-
加藤 圭
上智大学理工学部
-
山根 啓輔
豊橋技術科学大学電気・電子工学課程
-
河合 剛
豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻
-
丸山 大地
豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系
-
小路 耕平
豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻
-
江馬 一弘
上智大学理工:上智ナノテク
-
永本 勇矢
豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻
-
松岡 勝彦
豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻
-
伊藤 宏成
豊橋技術科学大学
-
猪瀬 裕太
上智大学理工
-
大槻 東巳
上智大理工:上智ナノテク
-
酒井 優
上智大理工
-
永本 勇矢
豊橋技術科学大学 電気・電子情報工学専攻
-
松岡 勝彦
豊橋技術科学大学 電気・電子情報工学専攻
-
黒江 晴彦
上智大理工
-
関根 智幸
上智大理工
-
関根 智幸
上智大理工:crest-jst
-
斎木 敏治
慶大理工
-
斎木 敏治
神奈川科学技術アカデミー
-
征矢 隆宏
上智大理工
-
村本 浩介
上智大理工
-
酒井 優
山梨大院医工
-
斎木 敏治
慶応大 理工
-
SATO Tetsuya
National Institute for fusion Science
-
斎木 敏治
慶應義塾大学理工学部 神奈川科学技術アカデミー
-
若原 昭浩
豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系
-
Sekine Toshiaki
Department Of Radioisotopes Japan Atomic Energy Research Institute
-
岡田 浩
豊橋技術科学大学EIIRIS:豊橋技術科学大学
-
野中 聡
旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座
-
野中 薫雄
琉球大学医学部器官病態医科学講座皮膚科
-
林 達哉
旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座
-
石沢 峻介
上智大理工
-
光野 徹也
上智大理工
-
山野 晃司
上智大理工
-
岸野 克己
上智大理工
-
棒田 英之
上智大理工
-
小松 悠二
上智大理工
-
光野 徹也
上智大理工:crest-jst
-
石沢 峻介
上智大理工:crest-jst
-
岡田 浩
豊橋技術科学大学エレクトロニクス先端融合研究所
-
山野 晃司
上智大学理工学部:jstクレスト
-
棒田 英之
上智大理工:crest-jst
-
岡田 浩
豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻
-
若原 昭浩
豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻
-
浦上 法之
豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系
著作論文
- 22pPSB-35 窒化物半導体ナノコラム結晶を用いた新規発光デバイスの研究(22pPSB 領域5ポスターセッション(微粒子・ナノ結晶等),領域5(光物性))
- GaNナノコラムにおけるランダムレージング(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- GaN/AlN多重量子井戸のサブバンド間遷移を用いた紫外・赤外光変換素子の基礎検討(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 27aPS-93 一次元フォトニック配列したGaNナノウォールからの第二次高調波発生(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 28aVD-4 GaNナノコラム集団における光のアンダーソン局在の直接観察(28aVD 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域5(光物性))
- 28aVD-4 GaNナノコラム集団における光のアンダーソン局在の直接観察(28aVD 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 23pYJ-7 GaNナノコラム結晶の発光特性(励起子・ポラリトン・高密度励起現象,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 26aPS-18 InGaN/GaNナノコラム結晶の発光特性(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 23pPSA-79 GaNナノコラム結晶の発光特性II(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 27aPS-74 GaNナノコラムの高圧下ラマン散乱(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- RF-MBE法を用いたTiマスク選択成長による規則配列InGaN/GaNナノコラムの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- GaNナノコラムにおけるランダムレージング(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- GaNナノコラムにおけるランダムレージング(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- GaN/AlN多重量子井戸のサブバンド間遷移を用いた紫外・赤外光変換素子の基礎検討(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- GaN/AlN多重量子井戸のサブバンド間遷移を用いた紫外・赤外光変換素子の基礎検討(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- RF-MBE法を用いたGaN/AlGaN紫外ナノコラムLEDの成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- RF-MBE法を用いたGaN/AlGaN紫外ナノコラムLEDの成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- RF-MBE法を用いたGaN/AlGaN紫外ナノコラムLEDの成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 25aRE-3 GaNナノコラムにおけるランダムレーザーの特性評価(25aRE 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域5(光物性))
- 25aRE-3 GaNナノコラムにおけるランダムレーザーの特性評価(25aRE 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- RF-MBE法を用いたTiマスク選択成長による規則配列InGaN/GaNナノコラムの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- RF-MBE法を用いたTiマスク選択成長による規則配列InGaN/GaNナノコラムの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 23aYJ-7 GaNナノコラム結晶のプラズモンによるラマン散乱II(微粒子・ナノ結晶・低次元物質,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 高温環境下で動作するCOガスセンサに向けたPt/GaNショットキバリアダイオードの評価(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- BGaPの分子線エピタキシー成長(MBE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Si基板上光閉じ込め構造に向けたAlGaPN混晶の分子線エピタキシー成長(MBE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 高温環境下で動作するCOガスセンサに向けたPt/GaNショットキバリアダイオードの評価(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 高温環境下で動作するCOガスセンサに向けたPt/GaNショットキバリアダイオードの評価(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- BGaPの分子線エピタキシー成長(MBE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Si基板上光閉じ込め構造に向けたAlGaPN混晶の分子線エピタキシー成長(MBE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Si基板上光閉じ込め構造に向けたAlGaPN混晶の分子線エピタキシー成長(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- BGaPの分子線エピタキシー成長(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Si基板上無転位発光素子構造の実現に向けたn型およびp型AlGaPN混晶の電気的特性の評価 (電子部品・材料)
- 高温成長によるGaAsN混晶の結晶性向上 (電子部品・材料)
- GaN:EuへのMg共ドーピングによる発光特性への影響(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- GaN:EuへのMg共ドーピングによる発光特性への影響(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- GaN:EuへのMg共ドーピングによる発光特性への影響(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- Mg共添加GaN:Euを活性層とした赤色発光ダイオードの作製 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- N交互供給によるn-GaPN:Sの有機金属気相成長と電気的特性の検討(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Si基板上無転位発光素子構造の実現に向けたn型およびp型AlGaPN混晶の電気的特性の評価(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- N交互供給によるn-GaPN:Sの有機金属気相成長と電気的特性の検討(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Si基板上無転位発光素子構造の実現に向けたn型およびp型AlGaPN混晶の電気的特性の評価(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- N交互供給によるn-GaPN:Sの有機金属気相成長と電気的特性の検討(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 高温成長によるGaAsN混晶の結晶性向上(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 高温成長によるGaAsN混晶の結晶性向上(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 高温成長によるGaAsN混晶の結晶性向上(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Si基板上無転位発光素子構造の実現に向けたn型およびp型AlGaPN混晶の電気的特性の評価(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Mg共添加GaN:Euを活性層とした赤色発光ダイオードの作製(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)