菊池 昭彦 | 上智大学 大学院理工学研究科 電気電子工学専攻
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概要
関連著者
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菊池 昭彦
上智大学 大学院理工学研究科 電気電子工学専攻
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岸野 克巳
上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研
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菊池 昭彦
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上智大理工
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関根 智幸
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Department Of Radioisotopes Japan Atomic Energy Research Institute
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上智大学理工学部
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上智大理工
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山梨大院医工
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欅田 英之
上智大理工
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欅田 英之
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上智大学理工学部
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上智大学理工学部:jstクレスト
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山野 晃司
上智大理工
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上智大学理工学部
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小松 悠二
上智大理工
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野村 一郎
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上智大 理工
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上智大学理工
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森田 敏弘
上智大学 電気電子工学科
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上智大学 電気電子工科
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上智大学理工学部
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上智大学理工学部
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大槻 東巳
上智大学理工学部
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上智大理工
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上智大理工
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上智大学理工学部
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千葉大院融合
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落合 勇一
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菊池 昭彦
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大槻 東巳
上智ナノテク研
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江馬 一弘
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上智ナノテク研
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村本 浩介
上智大理工
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上智大理工:crest-jst
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慶応大 理工
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SATO Tetsuya
National Institute for fusion Science
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Ochiai Yukinori
Crest-jst
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Ochiai Yukinori
Faculty Of Engineering Science Osaka University
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Ochiai Yukinori
System Devices And Fundamental Research Nec Corporation
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斎木 敏治
慶應義塾大学理工学部 神奈川科学技術アカデミー
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上智大理工
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安藤 豪紀
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上智大理工
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千葉大総合
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青木 伸之
千葉大総合
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佐藤 輔
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OCHIAI Yuichi
Department of Electronics and Mechanical Engineering, Chiba University
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落合 勇一
千葉大工:千葉大
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上智大理工
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下村 和彦
上智大学理工学部
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上智大学理工学部
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藤田 信彦
上智大学 理工学部 電気電子工学科
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山田 隆之
上智大学理工学部電気電子工学科
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中村 進一
上智大学理工学部電気電子工学科
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草部 一秀
千葉大学大学院工学研究科人工システム科学専攻
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石沢 峻介
上智大学理工学部
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吉田 順自
上智大学
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森 雅士
上智大学 理工学部 電気電子工学科
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吉澤 正樹
上智大学 理工学部 電気電子工学科
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豊浦 洋祐
上智大学 理工学部 電気電子工学科
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草部 一秀
上智大学 理工学部 電気電子工学科
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中村 進一
上智大学 理工学部 電気電子工学科
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杉原 大輔
上智大学 理工学部 電気電子工学科
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山田 隆之
上智大学 理工学部 電気電子工学科
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岸野 克己
上智大学 理工学部 電気電子工学科
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豊浦 洋祐
上智大学理工学部電気電子工学科
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草部 一秀
上智大学理工学部電気電子工学科
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杉原 大輔
上智大学理工学部電気電子工学科
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市村 好克
上智大学 理工学部
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吉田 篤至
上智大学 理工学部
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市村 好克
Hewlett-Packard 研究所
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市村 好克
Hewlett-packard研究所
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岸野 党巳
上智大学 理工学部
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山野 晃司
上智大学理工学部
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下村 和彦
上智大学 理工学部
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清水 亜希恵
上智大理工
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生井 達也
上智大理工
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家近 幸子
上智大理工
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亀谷 龍馬
上智大学理工
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欅田 英之
上智大学理工:上智ナノテク
著作論文
- 22pPSB-35 窒化物半導体ナノコラム結晶を用いた新規発光デバイスの研究(22pPSB 領域5ポスターセッション(微粒子・ナノ結晶等),領域5(光物性))
- GaNナノコラムにおけるランダムレージング(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- Moマスク選択成長法を用いた高品質規則配列InN結晶のMBE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- InP基板上ZnCdSe/MgZnCdSe MQW構造における量子閉じ込めシュタルク効果と共振型光変調器への適用
- MBE法によるInP基板上ZnCdSe/MgZnCdSe混晶系の結晶成長と評価
- InP基板上のMgZnCdSe混晶及びZnCdSe/MgZnCdSeヘテロ接合のMBE成長
- 27aPS-93 一次元フォトニック配列したGaNナノウォールからの第二次高調波発生(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 26pXB-7 誘電体円柱集団における光局在特性(フォトニック結晶,領域5,領域1合同,領域5,光物性)
- 26pXB-7 誘電体円柱集団における光局在特性(領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 28pPSA-62 InAlNおよびInNナノコラムの発光特性(28pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 28aVD-5 ランダム配置誘電体円柱における光のアンダーソン局在(28aVD 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域5(光物性))
- 28aVD-4 GaNナノコラム集団における光のアンダーソン局在の直接観察(28aVD 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域5(光物性))
- 28aVD-5 ランダム配置誘電体円柱における光のアンダーソン局在(28aVD 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 28aVD-4 GaNナノコラム集団における光のアンダーソン局在の直接観察(28aVD 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 21aYH-6 ランダム配置GaNナノコラムにおける光のアンダーソン局在(21aYH 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
- 27aPS-74 GaNナノコラムの高圧下ラマン散乱(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- RF-MBE法を用いたTiマスク選択成長による規則配列InGaN/GaNナノコラムの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- GaNナノコラムにおけるランダムレージング(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- GaNナノコラムにおけるランダムレージング(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 25aRE-4 半導体円柱集団における光局在特性(25aRE 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域5(光物性))
- 25aRE-3 GaNナノコラムにおけるランダムレーザーの特性評価(25aRE 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域5(光物性))
- 25aRE-4 半導体円柱集団における光局在特性(25aRE 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 25aRE-3 GaNナノコラムにおけるランダムレーザーの特性評価(25aRE 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- Moマスク選択成長法を用いた高品質規則配列InN結晶のMBE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Moマスク選択成長法を用いた高品質規則配列InN結晶のMBE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- RF-MBE法を用いたTiマスク選択成長による規則配列InGaN/GaNナノコラムの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- RF-MBE法を用いたTiマスク選択成長による規則配列InGaN/GaNナノコラムの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 25pPSB-45 GaNナノウォールと規則配列GaNナノコラムにおける表面フォノンのラマン散乱(25pPSB 領域5ポスターセッション(光誘起相転移・励起子・非線形等),領域5(光物性))
- 23aYJ-7 GaNナノコラム結晶のプラズモンによるラマン散乱II(微粒子・ナノ結晶・低次元物質,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
- (GaP)_n/(InP)_m短周期二元超格子によるGaInP量子細線の自己組織化と量子細線レーザ
- GaNの極微細構造の成長とAlGaNのシャッター制御法によるAl組成制御
- 窒化物共振型紫外線受光素子の設計とRF-MBE法によるAlGaN系DBRの試作
- 青・緑色II-VI族半導体レーザ結晶のMBE成長
- C-4-5 InGaN/GaN MQWナノコラムを用いた緑色発光デバイス(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 25aHB-8 半導体円柱集団における光のアンダーソン局在(25aHB 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 25aHB-8 半導体円柱集団における光のアンダーソン局在(25aHB 領域5,領域1合同フォトニック結晶,領域5(光物性))
- 25pPSA-28 GaNナノ構造における表面フォノンのラマン散乱(25pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 26aPS-89 1本のGaNナノコラムの電気伝導(26aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pPSA-29 1本のGaNナノコラムの顕微ラマン散乱(25pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 21pPSA-6 1本のGaNナノコラムの電気伝導II(21pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23pTN-10 半導体円柱集団における光のアンダーソン局在(23pTN 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域5(光物性))
- 21pPSA-60 GaNナノ構造における表面フォノンのラマン散乱II(21pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 21pPSA-59 1本のGaNナノコラムの顕微ラマン散乱II(21pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 23pTN-10 半導体円柱集団における光のアンダーソン局在(23pTN 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 近赤外1.46μm発光規則配列InGaNナノコラムLEDの作製と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 近赤外1.46μm発光規則配列InGaNナノコラムLEDの作製と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 近赤外1.46μm発光規則配列InGaNナノコラムLEDの作製と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 26pSA-2 ELO成長法におけるInNの光学特性(26pSA 領域4 ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))