Moマスク選択成長法を用いた高品質規則配列InN結晶のMBE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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概要
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RF-MBE法によりサファイア(0001)基板上にMoマスクを用いてInNの選択成長を試みた。開口部直径433nmのマスク上に成長した直径1μm、高さ1.5μm、周期1μmの規則配列InN結晶から、ピークエネルギー0.63eV、半値幅54meVの鋭い室温PL発光が観測され、選択成長による結晶性の著しい向上が確認された。これはナノ構造及び横方向成長効果による貫通転位の低減が寄与しているためであると考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-11-12
著者
-
菊池 昭彦
上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研
-
菊池 昭彦
上智大学理工学部
-
岸野 克巳
上智大学理工学部
-
神村 淳平
上智大学理工学部
-
岸野 克巳
上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研
-
岸野 克己
上智大学理工学部電気電子工学科:crest 独立行政法人科学技術振興機構
-
神村 淳平
上智大理工
-
菊池 昭彦
上智大学 大学院理工学研究科 電気電子工学専攻
-
菊池 昭彦
上智大学理工:上智ナノテク
-
神村 淳平
上智大学理工
-
岸野 克巳
上智大学理工:上智ナノテク
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