ガスソースMBE法による自己形成GaInP/AlInP赤色量子細線レーザ
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概要
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ガスソースMBE法による(100)GaAs基板上での(GaP)_2/(InP)_2短周期二元超格子の積層時に起きるGaInP歪量子細線の自己形成は、量子細線レーザを作成する上で非常に魅力的である。しかしながら、量子細線の自己形成条件に関して系統的な研究は十分なされていない。そこで、今回、18周期(GaP)_m/(InP)_m短周期二元超格子に対し分子層数を系統的にふることで、量子細線の自己形成条件を調べたところ、分子層数m=1.2ML以上で量子細線の自己形成が起きることが分かった。また、この作製法により、GaInP/AlInP歪量子細線レーザ作製したところ、分子層数m=1.5MLのとき、室温パルスにおける最低しきい値電流密度278A/cm^2、室温連続動作で294A/cm^2の低しきい値動作が得られたので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-05-26
著者
-
菊池 昭彦
上智大学理工学部
-
岸野 克巳
上智大学理工学部
-
野村 一郎
上智大学 電気電子工学科
-
吉田 順自
上智大学
-
吉田 順自
上智大学理工学部
-
野村 一郎
上智大学理工学部
-
野村 一郎
上智大 理工
-
菊池 昭彦
上智大学理工:上智ナノテク
-
岸野 克巳
上智大学理工:上智ナノテク
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