AlN/GaN超格子を用いた1.2〜1.6μm光通信波長帯サブバンド間吸収の観測(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)

スポンサーリンク

概要

論文の詳細を見る
(GaN)m/(AlN)n超格子において、光通信波長帯をカバーする1.14〜1.61μmにおけるサブバンド間吸収を観測し、系統的な評価を行った。試料はrfプラズマ励起窒素を原料とする分子線エピタキシー(rf-MBE)法を用いて(0001)面サファイア基板上に直接成長した。超格子はGaN井戸層(m=2〜10 ML)とAlN障壁層(n〜11 ML)を90周期有する構造とした。厚さ4MLのGaN井戸層を有する試料において、1.14μmという短波長のISBT吸収が観測された。この波長は、GaN/AlN超格子において理論的に予測される短波長限界に近い。GaN井戸幅の増加とともに吸収ピーク波長は単調に長波長化し、井戸幅9.5MLにおいて1.61μmとなった。また、吸収波長1.54μmの試料における吸収スペクトルの半値全幅は61meVと狭く、高品質な超格子構造の成長が確認された。
社団法人電子情報通信学会の論文
2002-06-08

著者

関連論文

もっと見る

スポンサーリンク