緑色半導体レーザに向けたInP基板上II-VI族材料の開拓(半導体レーザ関連技術,及び一般)
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概要
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InP基板上のMgZnCdSe、BeZnTe、BeZnSeTe II-VI族半導体は可視光中域、特に緑色発光素子材料として有望である。我々はこれら材料の開拓を進め、活性層にBeZnSeTe、nクラッド層にMgSe/ZnCdSe超格子、pクラッド層にMgSe/BeZnTe超格子を用いた発光素子の開発を行ってきた。その結果、5000時間以上の素子寿命を達成し、II-VI族素子としては大幅な改善を得た。一方、BeZnSeTeを活性層とするダブルヘテロ構造では室温において緑色光励起発振に成功し、BeZnSeTeが緑色レーザの活性層材料として高い性能を有していることを示した。
- 2008-12-05
著者
-
岸野 克巳
上智大学理工学部
-
野村 一郎
上智大学 電気電子工学科
-
野村 一郎
上智大学理工学部
-
岸野 克巳
上智大学 理工学部
-
蛯沢 智也
上智大学理工学部
-
櫛田 俊
上智大学理工学部
-
田才 邦彦
上智大学理工学部
-
中村 均
上智大学理工学部
-
朝妻 庸紀
上智大学理工学部
-
中島 博
上智大学理工学部
-
野村 一郎
上智大 理工
-
朝妻 庸紀
ソニー(株)
-
岸野 克巳
上智大学理工:上智ナノテク
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