GaN及びGaInN中の貫通転位(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
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概要
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GaN系半導体中に存在する貫通転位を3種類の線欠陥-刃状,混合,らせん転位-に分類し,光学的特性及び結晶成長に与える影響を考察.全欠陥の10%程度しか占有しない混合及びらせん転位がGaN中の強い非発光中心として働いていることを報告したが,刃状転位も非発光中心として働くことをCathodoluminescence測定により実証.レーザデバイスの特性改善に対しては,Epitaxial Lateral Overgrowth(ELO)法を使った貫通転位密度の低減が必要不可欠であるが,欠陥が増殖し難い特性をGaN系半導体が有している可能性があり,この特性がレーザデバイスの長寿命化に大きな役割を果たしていると考えられる.また,過飽和度の高い結晶成長を余儀なくされるGaInN層では,貫通転位を起源とした激しいスパイラル成長が起きており,In組成変調の一因となる可能性がある.ELO-GaN上に成長したGaInN層の低欠陥密度領域にも,スパイラル成長に起因した独特の表面構造が観察された.
- 2002-06-07
著者
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冨谷 茂隆
ソニー株式会社先端マテリアル研究所
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冨谷 茂隆
ソニー(株)マテリアル研究所 材料解析センター
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池田 昌夫
ソニー白石セミコンダクタ株式会社
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池田 昌夫
ソニー株式会社先端マテリアル研究所
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朝妻 庸紀
ソニー(株)コアテクノロジー開発本部 アドバンストライトテクノロジー部
-
日野 智公
ソニー(株)コアテクノロジーネットワークカンパニー
-
宮嶋 孝夫
ソニー(株)コアテクノロジーネットワークカンパニー
-
簗嶋 克典
ソニー(株)CNC CT開発本部
-
小林 俊雅
ソニー(株)CNC CT開発本部
-
宮嶋 孝夫
ソニー(株)tsセンター
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日野 智公
ソニー(株)tsセンター
-
簗嶋 克典
ソニー(株)tsセンター
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朝妻 庸紀
ソニー(株)
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朝妻 庸紀
ソニー(株)tsセンター
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小林 俊雅
ソニー(株)tsセンター
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