高温-高出力青紫色半導体レーザ(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
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概要
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GaN系青紫色半導体レーザにおいて、 100mWを超える高出力化の検討を行なった。リッジストライブ構造,活性層周辺の縦構造の適正化を行なうことで、高いキンクレベルと高いCODレベルの両立に成功した。その結果,環境温度80℃においても光出力がキンクフリーで200mWまで得られ,環境温度60℃,光出力130mW,パルス駆動の条件下で500時間を超える連続動作が可能なレーザ素子を作製した。また、光出力30mW、CW駆動の条件下で、GaN系青紫色半導体レーザにおける寿命の温度依存性を測定し活性化エネルギーを見積もった結果、3.2eVという値が得られた。
- 2003-12-12
著者
-
池田 昌夫
ソニー白石セミコンダクタ株式会社
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池田 昌夫
ソニー(株)
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池田 昌夫
ソニー株式会社先端マテリアル研究所
-
竹谷 元伸
ソニー白石セミコンダクター(株)開発センター
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水野 崇
ソニー白石セミコンダクタ株式会社開発センター
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池田 真朗
ソニー白石セミコンダクタ株式会社開発センター
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藤本 強
ソニー白石セミコンダクタ株式会社開発センター
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大藤 良夫
ソニー白石セミコンダクタ株式会社開発センター
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橋津 敏宏
ソニー白石セミコンダクタ株式会社開発センター
-
水野 崇
ソニー白石セミコンダクタ
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