劣化GaN系半導体レーザ中の結晶欠陥(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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概要
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選択横方向成長GaNエピタキシャル膜(ELO GaN)上に形成し、劣化させたGaN系半導体レーザダイオード(LD)における転位を、透過電子顕微鏡法によって評価した。 ELO構造におけるWing領域中の転位密度は、10^6/cm^2台であり、レーザストライプ中に転位は、約10個程度、存在する。出力30mW連続発振25℃条件下で、約100時間程度で劣化したデバイスにおいて、貫通転位からの転位増殖や構造変化は観察されなかった。すなわち、GaN系半導体レーザにおける劣化は、閃亜鉛鉱型結晶を有する半導体レーザで通常観察される再結合促進転位促進運動によるものではないと言える。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-09-25
著者
-
後藤 修
ソニー(株)
-
冨谷 茂隆
ソニー株式会社先端マテリアル研究所
-
冨谷 茂隆
ソニー(株)マテリアル研究所 材料解析センター
-
池田 昌夫
ソニー白石セミコンダクタ株式会社
-
池田 昌夫
ソニー(株)
-
後藤 修
京都大学大学院・情報学研究科・知能情報学専攻
-
池田 昌夫
ソニー株式会社先端マテリアル研究所
-
後藤 修
ソニー白石セミコンダクタ(株) 設計生産技術部
-
竹谷 元伸
ソニー白石セミコンダクター(株)開発センター
-
後藤 修
沖電気工業(株)半導体技術研究所
-
後藤 修
慶應義塾大学病院腫瘍センター
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