MOCVD成長InAlAs層のショットキー特性
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概要
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MOCVD成長InAlAsのショットキー特性は成長条件に強く依存しており、低成長温度、低V/III供給比で成長したInAlAsにおいては、ショットキー障壁高さが低く、逆方向リーク電流が増加する。また、C-V測定とHall効果測定から求まるキャリア濃度に大きな差を生じるが、これはアクセプタ型ディープトラップの形成によるものと考えられ、DLTS測定からは活性化エネルギー0.45eV、0.33eV、0.15eVの3種のトラップが検出されている。低成長温度、低V/III供給比の条件で成長したInAlAsショットキーの逆方向リーク電流は、このようなディープトラップを介した過剰な電流成分によるものと思われる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-07-22
著者
-
後藤 修
ソニー(株)
-
木村 有
沖電気工業株式会社 オプティカルコンポーネントカンパニー
-
木村 有
沖電気工業(株)
-
角谷 昌紀
沖電気工業株式会社 オプティカルコンポーネントカンパニー
-
上田 孝
沖電気工業(株)半導体技術研究所
-
後藤 修
京都大学大学院・情報学研究科・知能情報学専攻
-
大島 知之
沖電気工業(株)半導体技術研究所
-
後藤 修
沖電気工業(株)半導体技術研究所
-
森口 浩伸
沖電気工業 オプティカルコンポーネントカンパニー
-
角谷 昌紀
沖電気工業株式会社オプティカルコンポーネントカンパニー
-
角谷 昌紀
沖電気工業(株)
-
上田 孝
沖電気工業 半導体技研
-
大島 知之
沖電気工業株式会社オプティカルコンポーネントカンパニー
-
大島 知之
沖電気工業
-
後藤 修
慶應義塾大学病院腫瘍センター
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