Moショットキゲート GaAs FET のゲート順方向バイアス通電による特性変動
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概要
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化合物半導体FETのゲートショットキ特性の耐熱性向上を図るため、ゲートメタルとGaAsの間にMoをバリアメタルとして挿入する方法が有効であるが、本構造のFETのゲート電極に順方向バイアス通電を行うとφ_Bは高くなり、Vthは浅くなることがわかった。このような特性変動は、Mo蒸着後の熱処理で低減する。本稿ではその特性変動の原因としてMo蒸着時の電子線ダメージを考え検討を行った。その結果、Mo/GaAs界面に100Å程度のTi薄膜を挿入することによって、特性変動の小さい、かつ熱的安定性に優れたショットキゲートが得られることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-10-19
著者
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