40Gbit/s光通信用InP系HEMT技術 (デバイス特集)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 沖電気工業沖テクニカルレビュー編集委員会の論文

著者

• 森口 浩伸

  沖電気工業 オプティカルコンポーネントカンパニー

• 大島 知之

  沖電気工業株式会社オプティカルコンポーネントカンパニー

関連論文

• 10Gb/s低消費電力EA変調器ドライバIC
• 低雑音10Gb/s AGC機能付きトランスインピーダンスアンプ
• 低雑音10Gb/s AGC 機能付きトランスインピーダンスアンプ
• 低雑音10Gb/s AGC機能付きトランスインピーダンスアンプ
• 10Gbps光通信用トランスインピーダンスアンプ (21世紀のソリューション特集) -- (コンポーネント)
• ダブルリセス構造0.1μmゲートpseudomorphic InP-HEMTの評価(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• ダブルリセス構造0.1μmゲートpseudomorphic InP-HEMTの評価(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• ダブルリセス構造0.1μmゲート pseudomorphic InP-HEMT の評価
• 40 Gb/s 光通信用ダブルリセス構造0.1μmゲートInP-HEMT
• 40Gb/s光通信用ダブルリセス構造0.1μmゲートInP-HEMT
• ED2000-94 再結合促進欠陥反応を用いたInGaAs/AlGaAs PHEMTのRIEダメージ回復過程
• MOCVD成長InAlAs層のショットキー特性
• 40Gbit/s光通信用InP系HEMT技術 (デバイス特集)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク