低雑音10Gb/s AGC機能付きトランスインピーダンスアンプ
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
本論文では、自動利得制御(Automatic Gain Control:AGC)機能を有するトランスインピーダンスアンプの回路設計及び作製したアンプの評価結果について述べる。作製したアンプのトランスインピーダンスは63dBΩ、帯域8.0GHzであった。また、入力換算雑音電流密度6.5pA/√<Hz>、最小受光感度-21.2dBmと極めて良好な低雑音特性を示した。さらに、外部調整を必要としないAGC機能の塔載により、最大光入力+4.3dBを得て、25.5dBmの広ダイナミックレンジを実現した。これらの優れた諸特性を有する本トランスインピーダンスアンプは、高速光通信システムのキーデバイスとしての応用が大きく期待される。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-01-10
著者
-
高橋 賢
沖電気工業(株)
-
木村 有
沖電気工業株式会社 オプティカルコンポーネントカンパニー
-
木村 有
沖電気工業(株)
-
角谷 昌紀
沖電気工業株式会社 オプティカルコンポーネントカンパニー
-
市岡 俊彦
沖電気工業(株)研究開発本部
-
池田 等
OKIセミコンダクタ株式会社開発本部光コンポーネントユニット
-
市岡 俊彦
沖電気工業
-
大島 知之
沖電気工業(株)半導体技術研究所
-
池田 等
沖電気工業(株)
-
池田 等
沖電気
-
角谷 昌紀
沖電気工業株式会社オプティカルコンポーネントカンパニー
-
角谷 昌紀
沖電気工業(株)
-
大島 知之
沖電気工業株式会社オプティカルコンポーネントカンパニー
-
大島 知之
沖電気工業
関連論文
- 光源駆動用GaAs IC (特集 高密度波長分割多重伝送(DWDM)システムに対応した光デバイス--ブロードバンド(高速大容量)伝送時代のキーテクノロジー)
- GaAs 40Gb/s光通信用分布増幅器IC
- 40Gb/s光通信用分布型増幅器
- 40Gb/S光通信用分布型増幅器
- 40Gb/S光通信用分布型増幅器
- C-10-17 69GHz広帯域分布型増幅器
- B-10-121 10Gbps D-FF内蔵EA変調器ドライバIC
- SC-2-3 ETC用送信MMICの開発
- ETC用送信部MMIC
- ETC用送信部MMIC
- ETC用送信部MMIC
- 単層アルミナ薄膜基板を用いた1.5GHz帯ディジタル携帯電話用パワーアンプモジュール
- 単層アルミナ薄膜基板を用いた800MHz帯アナログ、ディジタル共用パワーアンプモジュール
- 10Gbit/s光通信終端用GaAsICチップセット (光通信特集)
- 10Gb/s GaAs DCFL 8:1マルチプレクサ、1:8デマルチプレクサ
- BCI-1-8 光通信用変調器ドライバIC技術(BCI-1.光通信を支える最新エレクトロニクス技術)
- BCI-1-8 光通信用変調器ドライバIC技術(BCI-1.光通信を支える最新エレクトロニクス技術,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- BCI-1-8 光通信用変調器ドライバIC技術(BCI-1.光通信を支える最新エレクトロニクス技術,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- 光通信用低雑音、広ダイナミックレンジGaAs前置増幅器IC
- GaAsスタンダ-ドセルLSI (電子部品特集)
- 10Gb/s低消費電力EA変調器ドライバIC
- スタンダードセルLSI内蔵型 256bit GaAs SRAM
- 2.5Gb/s GaAs 8×8 自己ルーティングスイッチ LSI
- SC-7-8 80Gb/s光通信用分布型増幅器
- 低雑音10Gb/s AGC機能付きトランスインピーダンスアンプ
- 低雑音10Gb/s AGC 機能付きトランスインピーダンスアンプ
- 低雑音10Gb/s AGC機能付きトランスインピーダンスアンプ
- 10Gbps光通信用トランスインピーダンスアンプ (21世紀のソリューション特集) -- (コンポーネント)
- ダブルリセス構造0.1μmゲートpseudomorphic InP-HEMTの評価(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- ダブルリセス構造0.1μmゲートpseudomorphic InP-HEMTの評価(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- ダブルリセス構造0.1μmゲート pseudomorphic InP-HEMT の評価
- 40 Gb/s 光通信用ダブルリセス構造0.1μmゲートInP-HEMT
- 40Gb/s光通信用ダブルリセス構造0.1μmゲートInP-HEMT
- ED2000-94 再結合促進欠陥反応を用いたInGaAs/AlGaAs PHEMTのRIEダメージ回復過程
- 低消費電力14Gb/s 1:16デマルチプレクサ
- 高感度10Gb/s DCFLリミティングアンプ
- 高感度10Gb/s DCFLリミティングアンプ
- 高感度10Gb/s DCFLリミティングアンプ
- C-10-24 10Gb/s低消費電力GaAsリミティングアンプ
- 2.5Gb/s超低消費電力GaAsリミッティングアンプ
- ゲート接地型トランスファゲートを用いた高速LSI用フリップフロップ
- ゲート接地型トランスファゲートを用いた高速LSI用フリップフロップ
- ゲート接地型トランスファゲートを用いた高速LSI用フリップフロップ
- 4)赤色発光有機EL素子用Eu錯体の開発([情報センシング研究会 情報ディスプレイ研究会]合同)
- 赤色発光有機EL素子用希土類錯体の材料開発 (先端技術特集)
- 赤色発光有機EL素子用Eu錯体の開発
- 赤色発光有機EL素子用Eu錯体の開発
- MOCVD成長InAlAs層のショットキー特性
- 40Gbit/s光通信用InP系HEMT技術 (デバイス特集)
- 低温水晶振動子を用いる真空蒸着蒸気密度の測定
- サブクォータミクロンゲートGaAs MESFETと微細加工技術
- Moショットキゲート GaAs FET のゲート順方向バイアス通電による特性変動
- 極微細電極の電気的特性評価-極微細W-AL電極/GaAsのショットキ特性-