10Gb/s GaAs DCFL 8:1マルチプレクサ、1:8デマルチプレクサ
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概要
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10Gb, s光通信用の8:1マルチプレクサと1:8デマルチプレクサをイオン注入型GaAsMESFETを用いて試作した。ICの基本論理回路にはDCFLを用いた。ICの作製には位相シフト露光法を用いゲート長0.17μmのゲート形成を行い、単体ゲート遅延10.4psを得た。ICは10GHzクロックと10Gb/sデータとも単相入力、で動作可能である。またICは単一電源で動作する。10Gb/s動作時の位相余裕は、マルチプレクサが301°、デマルチプレクサが252°である。10Gb/s動作時の最小消費電力はマルチプレクサが1.5W(V_DD>=1.43V)、デマルチプレクサが2.0W(V_DD>=1.37V)であり、この値はこれまで報告された10Gb/sの8:1マルチプレクサと1:8デマルチプレクサの中で最も低消費電力である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-01-19
著者
-
関 昇平
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
山本 伸介
沖電気工業(株)コンポーネント事業部
-
四方 誠
沖電気光エレクトロニクス研究所
-
関 昇平
沖電気工業
-
関 昇平
沖電気工業(株)研究開発本部
-
市岡 俊彦
沖電気工業(株)研究開発本部
-
市岡 俊彦
沖電気(株)半導体技術研究所
-
四方 誠
沖電気
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