熱CVD成長SiN膜を用いたゲートリセス構造MIS-AlGaN/GaN-HEMT
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概要
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- 2009-03-09
著者
-
星 真一
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
伊藤 正紀
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
丸井 俊治
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
大来 英之
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
玉井 功
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
戸田 典彦
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
関 昇平
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
佐野 芳明
沖電気工業株式会社研究開発本部
-
関 昇平
沖電気工業
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戸田 典彦
沖電気工業
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玉井 功
沖電気工業
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丸井 俊治
沖電気工業
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佐野 芳明
沖電気工業
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伊藤 正紀
沖電気工業
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大来 英之
沖電気工業
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星 真一
沖電気工業オプティカルコンポーネントカンパニー
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