熱CVD成長SiN膜を用いたゲートリセス構造MIS-AlGaN/GaN-HEMTの電気特性(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
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概要
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近年故障時の安全性確保等の観点からノーマリオフ動作のAlGaN/GaN-HEMTの研究開発が進められている。しかしAlGaN/GaN-HEMTにおいては、AlGaN/GaNヘテロ界面に形成される高濃度2DEGを利用するため、ゲート直下部にリセス構造を用いても良好なノーマリオフ特性を得ることは困難であった。本稿ではゲートリセス後に熱CVD成長SiN膜を成長したゲートリセス構造MIS-AlGaN/GaN-HEMTを用いることにより、しきい値電圧(V_<th>)=+0.62V,最大ドレイン電流(I_<dmax>)=0.52A/mmの良好なノーマリオフ動作を確認した。またゲート長0.35μmの素子における小信号特性の測定結果より、ノーマリオフ動作においてもf_T=11.1GHz、f_<max>=40.6GHzの良好な高周波特性を得たので報告する。
- 2009-06-04
著者
-
星 真一
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
伊藤 正紀
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
丸井 俊治
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
大来 英之
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
森野 芳昭
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
玉井 功
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
戸田 典彦
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
関 昇平
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
関 昇平
沖電気工業
-
戸田 典彦
沖電気工業
-
玉井 功
沖電気工業
-
丸井 俊治
沖電気工業
-
伊藤 正紀
沖電気工業
-
大来 英之
沖電気工業
-
星 真一
沖電気工業オプティカルコンポーネントカンパニー
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